La industria de los semiconductores está experimentando un crecimiento sin precedentes, especialmente en el ámbito decarburo de silicio (SiC)electrónica de potencia.Con muchos grandesobleaPara las fábricas en construcción o ampliación para satisfacer la creciente demanda de dispositivos de SiC en vehículos eléctricos, este auge presenta notables oportunidades de crecimiento de beneficios.Sin embargo, también plantea desafíos únicos que exigen soluciones innovadoras.
En el corazón del aumento de la producción mundial de chips de SiC se encuentra la fabricación de cristales, obleas y capas epitaxiales de SiC de alta calidad.Aquí,grafito de grado semiconductorLos materiales desempeñan un papel fundamental, facilitando el crecimiento de cristales de SiC y la deposición de capas epitaxiales de SiC.El aislamiento térmico y la inercia del grafito lo convierten en un material preferido, ampliamente utilizado en crisoles, pedestales, discos planetarios y satélites dentro de sistemas de epitaxia y crecimiento de cristales.Sin embargo, las duras condiciones del proceso plantean un desafío importante, ya que conducen a una rápida degradación de los componentes de grafito y, posteriormente, dificultan la producción de cristales de SiC y capas epitaxiales de alta calidad.
La producción de cristales de carburo de silicio implica condiciones de proceso extremadamente duras, incluidas temperaturas superiores a 2000 °C y sustancias gaseosas altamente corrosivas.Esto a menudo provoca la corrosión completa de los crisoles de grafito después de varios ciclos de proceso, lo que aumenta los costes de producción.Además, las duras condiciones alteran las propiedades de la superficie de los componentes de grafito, comprometiendo la repetibilidad y estabilidad del proceso de producción.
Para combatir estos desafíos de manera efectiva, la tecnología de recubrimiento protector ha surgido como un punto de inflexión.Recubrimientos protectores basados encarburo de tantalio (TaC)Se han introducido para abordar los problemas de degradación de los componentes de grafito y escasez de suministro de grafito.Los materiales TaC exhiben una temperatura de fusión superior a 3800 °C y una resistencia química excepcional.Aprovechando la tecnología de deposición química de vapor (CVD),Recubrimientos de TaCcon un espesor de hasta 35 milímetros se pueden depositar sin problemas sobre componentes de grafito.Esta capa protectora no solo mejora la estabilidad del material sino que también extiende significativamente la vida útil de los componentes de grafito, lo que reduce los costos de producción y mejora la eficiencia operativa.
Semicera, un proveedor líder deRecubrimientos de TaC, ha sido fundamental para revolucionar la industria de los semiconductores.Con su tecnología de vanguardia y su compromiso inquebrantable con la calidad, Semicera ha permitido a los fabricantes de semiconductores superar desafíos críticos y alcanzar nuevas alturas de éxito.Al ofrecer recubrimientos TaC con un rendimiento y confiabilidad incomparables, Semicera ha consolidado su posición como socio confiable para las empresas de semiconductores en todo el mundo.
En conclusión, la tecnología de revestimiento protector, impulsada por innovaciones comoRecubrimientos de TaCde Semicera, está remodelando el panorama de los semiconductores y allanando el camino hacia un futuro más eficiente y sostenible.
Hora de publicación: 16 de mayo de 2024