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¿Qué es el carburo de tantalio?
El carburo de tantalio (TaC) es un compuesto binario de tantalio y carbono con la fórmula química TaC x, donde x suele variar entre 0,4 y 1. Son materiales cerámicos refractarios, extremadamente duros y quebradizos, con conductividad metálica. Son polvos de color marrón grisáceo y somos nosotros...Leer más -
¿Qué es el carburo de tantalio?
El carburo de tantalio (TaC) es un material cerámico de temperatura ultraalta con resistencia a altas temperaturas, alta densidad y alta compacidad; alta pureza, contenido de impurezas <5PPM; e inercia química al amoníaco y al hidrógeno a altas temperaturas, y buena estabilidad térmica. El llamado ultra alto ...Leer más -
¿Qué es la epitaxia?
La mayoría de los ingenieros no están familiarizados con la epitaxia, que desempeña un papel importante en la fabricación de dispositivos semiconductores. La epitaxia se puede utilizar en diferentes productos de chips, y diferentes productos tienen diferentes tipos de epitaxia, incluida la epitaxia de Si, la epitaxia de SiC, la epitaxia de GaN, etc. ¿Qué es la epitaxia? La epitaxia es...Leer más -
¿Cuáles son los parámetros importantes del SiC?
El carburo de silicio (SiC) es un importante material semiconductor de banda prohibida ampliamente utilizado en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia. Los siguientes son algunos parámetros clave de las obleas de carburo de silicio y sus explicaciones detalladas: Parámetros de red: asegúrese de que...Leer más -
¿Por qué es necesario laminar silicio monocristalino?
Laminación se refiere al proceso de rectificar el diámetro exterior de una varilla de cristal único de silicio en una varilla de cristal único del diámetro requerido utilizando una muela abrasiva de diamante y pulir una superficie de referencia de borde plano o una ranura de posicionamiento de la varilla de cristal único. La superficie del diámetro exterior...Leer más -
Procesos para producir polvos de SiC de alta calidad
El carburo de silicio (SiC) es un compuesto inorgánico conocido por sus propiedades excepcionales. El SiC natural, conocido como moissanita, es bastante raro. En aplicaciones industriales, el carburo de silicio se produce predominantemente mediante métodos sintéticos. En Semicera Semiconductor, aprovechamos técnicas avanzadas...Leer más -
Control de la uniformidad de la resistividad radial durante la extracción de cristales.
Las principales razones que afectan la uniformidad de la resistividad radial de los monocristales son la planitud de la interfaz sólido-líquido y el efecto de plano pequeño durante el crecimiento del cristal. La influencia de la planitud de la interfaz sólido-líquido Durante el crecimiento del cristal, si la masa fundida se agita uniformemente. , el...Leer más -
¿Por qué el horno monocristalino de campo magnético puede mejorar la calidad del monocristal?
Dado que el crisol se utiliza como recipiente y hay convección en su interior, a medida que aumenta el tamaño del monocristal generado, la convección de calor y la uniformidad del gradiente de temperatura se vuelven más difíciles de controlar. Al agregar un campo magnético para hacer que la masa fundida conductora actúe sobre la fuerza de Lorentz, la convección puede ser...Leer más -
Crecimiento rápido de monocristales de SiC utilizando una fuente masiva de CVD-SiC mediante el método de sublimación
Crecimiento rápido de monocristal de SiC utilizando una fuente masiva de CVD-SiC mediante el método de sublimaciónAl utilizar bloques de CVD-SiC reciclados como fuente de SiC, los cristales de SiC se cultivaron con éxito a una velocidad de 1,46 mm/h mediante el método PVT. El microtubo del cristal crecido y las densidades de dislocación indican que de...Leer más -
Contenido optimizado y traducido sobre equipos de crecimiento epitaxial de carburo de silicio
Los sustratos de carburo de silicio (SiC) tienen numerosos defectos que impiden el procesamiento directo. Para crear obleas de chip, se debe hacer crecer una película monocristalina específica sobre el sustrato de SiC mediante un proceso epitaxial. Esta película se conoce como capa epitaxial. Casi todos los dispositivos de SiC se realizan en epitaxial...Leer más -
El papel crucial y los casos de aplicación de los susceptores de grafito recubiertos de SiC en la fabricación de semiconductores
Semicera Semiconductor planea aumentar la producción de componentes centrales para equipos de fabricación de semiconductores a nivel mundial. Para 2027, nuestro objetivo es establecer una nueva fábrica de 20.000 metros cuadrados con una inversión total de 70 millones de dólares. Uno de nuestros componentes principales, el transportador de oblea de carburo de silicio (SiC)...Leer más -
¿Por qué necesitamos hacer epitaxia en sustratos de obleas de silicio?
En la cadena de la industria de semiconductores, especialmente en la cadena de la industria de semiconductores de tercera generación (semiconductores de banda prohibida ancha), existen sustratos y capas epitaxiales. ¿Cuál es el significado de la capa epitaxial? ¿Cuál es la diferencia entre el sustrato y el sustrato? El sustrato...Leer más