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Proceso de fabricación de semiconductores: tecnología Etch
Se requieren cientos de procesos para convertir una oblea en un semiconductor. Uno de los procesos más importantes es el grabado, es decir, tallar finos patrones de circuitos en la oblea. El éxito del proceso de grabado depende de la gestión de varias variables dentro de un rango de distribución establecido, y de cada grabado...Leer más -
Material ideal para anillos de enfoque en equipos de grabado por plasma: carburo de silicio (SiC)
En los equipos de grabado por plasma, los componentes cerámicos desempeñan un papel crucial, incluido el anillo de enfoque. El anillo de enfoque, colocado alrededor de la oblea y en contacto directo con ella, es esencial para enfocar el plasma en la oblea aplicando voltaje al anillo. Esto mejora la un...Leer más -
Front End of Line (FEOL): Sentando las bases
La parte frontal de la línea de producción es como sentar las bases y construir las paredes de una casa. En la fabricación de semiconductores, esta etapa implica la creación de estructuras básicas y transistores en una oblea de silicio. Pasos clave de FEOL: ...Leer más -
Efecto del procesamiento de monocristal de carburo de silicio sobre la calidad de la superficie de la oblea
Los dispositivos de potencia semiconductores ocupan una posición central en los sistemas electrónicos de potencia, especialmente en el contexto del rápido desarrollo de tecnologías como la inteligencia artificial, las comunicaciones 5G y los vehículos de nueva energía, los requisitos de rendimiento para ellos han sido...Leer más -
Material central clave para el crecimiento del SiC: recubrimiento de carburo de tantalio
Actualmente, la tercera generación de semiconductores está dominada por el carburo de silicio. En la estructura de costos de sus dispositivos, el sustrato representa el 47% y la epitaxia el 23%. Los dos juntos representan aproximadamente el 70%, que es la parte más importante de la fabricación de dispositivos de carburo de silicio...Leer más -
¿Cómo mejoran los productos recubiertos de carburo de tantalio la resistencia a la corrosión de los materiales?
El recubrimiento de carburo de tantalio es una tecnología de tratamiento de superficies de uso común que puede mejorar significativamente la resistencia a la corrosión de los materiales. El recubrimiento de carburo de tantalio se puede unir a la superficie del sustrato mediante diferentes métodos de preparación, como deposición química de vapor, física...Leer más -
Ayer, la Junta de Innovación Científica y Tecnológica emitió un anuncio de que Huazhuo Precision Technology puso fin a su oferta pública inicial.
Acabo de anunciar la entrega del primer equipo de recocido láser SIC de 8 pulgadas en China, que también es tecnología de Tsinghua; ¿Por qué retiraron ellos mismos los materiales? Sólo unas pocas palabras: En primer lugar, ¡los productos son demasiado diversos! A primera vista, no sé qué hacen. En la actualidad, H...Leer más -
Recubrimiento de carburo de silicio CVD-2
Recubrimiento de carburo de silicio CVD 1. ¿Por qué hay un recubrimiento de carburo de silicio? La capa epitaxial es una película delgada de cristal único específica que crece sobre la base de la oblea a través del proceso epitaxial. La oblea de sustrato y la película delgada epitaxial se denominan colectivamente obleas epitaxiales. Entre ellos, el...Leer más -
Proceso de preparación del recubrimiento SIC.
En la actualidad, los métodos de preparación del recubrimiento de SiC incluyen principalmente el método de gel-sol, el método de incrustación, el método de recubrimiento con brocha, el método de pulverización por plasma, el método de reacción química de vapor (CVR) y el método de deposición química de vapor (CVD). Método de incrustaciónEste método es un tipo de fase sólida de alta temperatura...Leer más -
Recubrimiento de carburo de silicio CVD-1
¿Qué es CVD SiC La deposición química de vapor (CVD) es un proceso de deposición al vacío que se utiliza para producir materiales sólidos de alta pureza? Este proceso se utiliza a menudo en el campo de la fabricación de semiconductores para formar películas delgadas en la superficie de las obleas. En el proceso de preparación de SiC por CVD, el sustrato se expande...Leer más -
Análisis de la estructura de dislocación en cristal de SiC mediante simulación de trazado de rayos asistida por imágenes topológicas de rayos X
Antecedentes de la investigación Importancia de la aplicación del carburo de silicio (SiC): como material semiconductor de banda prohibida amplia, el carburo de silicio ha atraído mucha atención debido a sus excelentes propiedades eléctricas (como una banda prohibida más grande, una mayor velocidad de saturación de electrones y conductividad térmica). Estos accesorios...Leer más -
Proceso de preparación de cristales semilla en crecimiento de monocristales de SiC 3
Verificación del crecimiento Los cristales semilla de carburo de silicio (SiC) se prepararon siguiendo el proceso descrito y se validaron mediante el crecimiento de cristales de SiC. La plataforma de crecimiento utilizada fue un horno de crecimiento por inducción de SiC de desarrollo propio con una temperatura de crecimiento de 2200 ℃, una presión de crecimiento de 200 Pa y un crecimiento...Leer más