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Proceso de preparación de cristales semilla en el crecimiento de cristales individuales de SiC (Parte 2)
2. Proceso experimental 2.1 Curado de la película adhesiva Se observó que la creación directa de una película de carbón o la unión con papel de grafito sobre obleas de SiC recubiertas con adhesivo generaba varios problemas: 1. En condiciones de vacío, la película adhesiva sobre obleas de SiC desarrolló una apariencia de escamas debido para firmar...Leer más -
Proceso de preparación de cristales semilla en crecimiento de monocristales de SiC
El material de carburo de silicio (SiC) tiene las ventajas de una amplia banda prohibida, alta conductividad térmica, alta intensidad de campo de ruptura crítica y alta velocidad de deriva de electrones saturados, lo que lo hace muy prometedor en el campo de la fabricación de semiconductores. Los monocristales de SiC generalmente se producen mediante...Leer más -
¿Cuáles son los métodos para el pulido de obleas?
De todos los procesos implicados en la creación de un chip, el destino final de la oblea es cortarla en troqueles individuales y empaquetarla en cajas pequeñas y cerradas con sólo unas pocas clavijas expuestas. El chip será evaluado en función de sus valores de umbral, resistencia, corriente y voltaje, pero nadie lo considerará...Leer más -
La introducción básica del proceso de crecimiento epitaxial de SiC
La capa epitaxial es una película monocristalina específica que crece sobre la oblea mediante un proceso epitaxial, y la oblea del sustrato y la película epitaxial se denominan oblea epitaxial. Al hacer crecer la capa epitaxial de carburo de silicio sobre el sustrato conductor de carburo de silicio, se obtiene el epitaxial homogéneo de carburo de silicio...Leer más -
Puntos clave del control de calidad del proceso de envasado de semiconductores.
Puntos clave para el control de calidad en el proceso de embalaje de semiconductoresActualmente, la tecnología de proceso para el embalaje de semiconductores ha mejorado y optimizado significativamente. Sin embargo, desde una perspectiva general, los procesos y métodos para el envasado de semiconductores aún no han alcanzado la perfección...Leer más -
Desafíos en el proceso de embalaje de semiconductores
Las técnicas actuales para el empaquetado de semiconductores están mejorando gradualmente, pero la medida en que se adopten equipos y tecnologías automatizados en el empaquetado de semiconductores determina directamente la obtención de los resultados esperados. Los procesos de envasado de semiconductores existentes todavía sufren...Leer más -
Investigación y análisis del proceso de embalaje de semiconductores.
Descripción general del proceso de semiconductores El proceso de semiconductores implica principalmente la aplicación de tecnologías de microfabricación y películas para conectar completamente chips y otros elementos dentro de diversas regiones, como sustratos y marcos. Esto facilita la extracción de terminales de plomo y el encapsulado con un...Leer más -
Nuevas tendencias en la industria de semiconductores: la aplicación de tecnología de recubrimiento protector
La industria de los semiconductores está experimentando un crecimiento sin precedentes, especialmente en el ámbito de la electrónica de potencia de carburo de silicio (SiC). Con muchas fábricas de obleas a gran escala en construcción o expansión para satisfacer la creciente demanda de dispositivos de SiC en vehículos eléctricos, esto...Leer más -
¿Cuáles son los principales pasos en el procesamiento de sustratos de SiC?
Los pasos de procesamiento para producir sustratos de SiC son los siguientes: 1. Orientación del cristal: uso de difracción de rayos X para orientar el lingote de cristal. Cuando un haz de rayos X se dirige a la cara del cristal deseada, el ángulo del haz difractado determina la orientación del cristal...Leer más -
Un material importante que determina la calidad del crecimiento del silicio monocristalino: campo térmico
El proceso de crecimiento del silicio monocristalino se lleva a cabo íntegramente en el campo térmico. Un buen campo térmico favorece la mejora de la calidad del cristal y tiene una alta eficiencia de cristalización. El diseño del campo térmico determina en gran medida los cambios y cambios...Leer más -
¿Qué es el crecimiento epitaxial?
El crecimiento epitaxial es una tecnología que hace crecer una capa de un solo cristal sobre un sustrato de un solo cristal (sustrato) con la misma orientación del cristal que el sustrato, como si el cristal original se hubiera extendido hacia afuera. Esta capa monocristalina recién formada puede ser diferente del sustrato en términos de c...Leer más -
¿Cuál es la diferencia entre sustrato y epitaxia?
En el proceso de preparación de la oblea, hay dos eslabones principales: uno es la preparación del sustrato y el otro es la implementación del proceso epitaxial. El sustrato, una oblea cuidadosamente elaborada a partir de material monocristalino semiconductor, se puede colocar directamente en el proceso de fabricación de la oblea...Leer más