Proceso de preparación del recubrimiento SIC.

En la actualidad, los métodos de preparación deRecubrimiento de SiCIncluye principalmente el método gel-sol, el método de incrustación, el método de recubrimiento con brocha, el método de pulverización por plasma, el método de reacción química de vapor (CVR) y el método de deposición química de vapor (CVD).

Método de incrustación
Este método es un tipo de sinterización en fase sólida a alta temperatura, que utiliza principalmente polvo de Si y polvo de C como polvo de inclusión, coloca elmatriz de grafitoen el polvo de inclusión, y se sinteriza a alta temperatura en gas inerte, y finalmente obtieneRecubrimiento de SiCen la superficie de la matriz de grafito. Este método es de proceso simple y el recubrimiento y la matriz están bien unidos, pero la uniformidad del recubrimiento a lo largo de la dirección del espesor es pobre y es fácil producir más agujeros, lo que resulta en una pobre resistencia a la oxidación.

Método de recubrimiento con brocha
El método de recubrimiento con brocha principalmente aplica con brocha la materia prima líquida sobre la superficie de la matriz de grafito y luego solidifica la materia prima a una determinada temperatura para preparar el recubrimiento. Este método es de proceso simple y de bajo costo, pero el recubrimiento preparado mediante el método de recubrimiento con brocha tiene una unión débil con la matriz, una uniformidad de recubrimiento deficiente, un recubrimiento delgado y una baja resistencia a la oxidación, y requiere otros métodos para ayudar.

Método de pulverización de plasma
El método de pulverización por plasma utiliza principalmente una pistola de plasma para pulverizar materias primas fundidas o semifundidas sobre la superficie del sustrato de grafito y luego se solidifica y se une para formar un recubrimiento. Este método es simple de operar y puede preparar una masa relativamente densa.revestimiento de carburo de silicio, pero elrevestimiento de carburo de silicioEl preparado mediante este método suele ser demasiado débil para tener una fuerte resistencia a la oxidación, por lo que generalmente se utiliza para preparar recubrimientos compuestos de SiC para mejorar la calidad del recubrimiento.

Método gel-sol
El método gel-sol prepara principalmente una solución de sol uniforme y transparente para cubrir la superficie del sustrato, la seca hasta convertirla en gel y luego la sinteriza para obtener un recubrimiento. Este método es simple de operar y tiene bajo costo, pero el recubrimiento preparado tiene desventajas tales como baja resistencia al choque térmico y fácil agrietamiento, y no puede usarse ampliamente.

Método de reacción química de vapor (CVR)
CVR genera principalmente vapor de SiO mediante el uso de polvo de Si y SiO2 a alta temperatura, y se produce una serie de reacciones químicas en la superficie del sustrato del material C para generar un recubrimiento de SiC. El recubrimiento de SiC preparado mediante este método está firmemente adherido al sustrato, pero la temperatura de reacción es alta y el costo también es alto.