Procesos para producir polvos de SiC de alta calidad

Carburo de silicio (SiC)es un compuesto inorgánico conocido por sus propiedades excepcionales. El SiC natural, conocido como moissanita, es bastante raro. En aplicaciones industriales,carburo de siliciose produce predominantemente mediante métodos sintéticos.
En Semicera Semiconductor, aprovechamos técnicas avanzadas para fabricarpolvos de SiC de alta calidad.

Nuestros métodos incluyen:
Método Acheson:Este proceso tradicional de reducción carbotérmica implica mezclar arena de cuarzo de alta pureza o mineral de cuarzo triturado con coque de petróleo, grafito o antracita en polvo. Luego, esta mezcla se calienta a temperaturas superiores a 2000 °C utilizando un electrodo de grafito, lo que da como resultado la síntesis de polvo de α-SiC.
Reducción carbotérmica a baja temperatura:Al combinar polvo fino de sílice con polvo de carbón y realizar la reacción entre 1500 y 1800 °C, producimos polvo de β-SiC con mayor pureza. Esta técnica, similar al método de Acheson pero a temperaturas más bajas, produce β-SiC con una estructura cristalina distintiva. Sin embargo, es necesario un posprocesamiento para eliminar el carbono residual y el dióxido de silicio.
Reacción directa silicio-carbono:Este método implica hacer reaccionar directamente polvo de silicio metálico con polvo de carbono a 1000-1400 °C para producir polvo de β-SiC de alta pureza. El polvo de α-SiC sigue siendo una materia prima clave para las cerámicas de carburo de silicio, mientras que el β-SiC, con su estructura similar al diamante, es ideal para aplicaciones de pulido y esmerilado de precisión.
El carburo de silicio presenta dos formas cristalinas principales:α y β. El β-SiC, con su sistema cristalino cúbico, presenta una red cúbica centrada en las caras tanto para el silicio como para el carbono. Por el contrario, el α-SiC incluye varios politipos como 4H, 15R y 6H, siendo el 6H el más utilizado en la industria. La temperatura afecta la estabilidad de estos politipos: el β-SiC es estable por debajo de 1600 °C, pero por encima de esta temperatura, pasa gradualmente a politipos de α-SiC. Por ejemplo, el 4H-SiC se forma alrededor de los 2000°C, mientras que los politipos 15R y 6H requieren temperaturas superiores a los 2100°C. En particular, el 6H-SiC permanece estable incluso a temperaturas superiores a 2200 °C.

En Semicera Semiconductor, nos dedicamos a hacer avanzar la tecnología SiC. Nuestra experiencia enRecubrimiento de SiCy materiales garantizan una calidad y un rendimiento de primer nivel para sus aplicaciones de semiconductores. Explore cómo nuestras soluciones de vanguardia pueden mejorar sus procesos y productos.