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Ayer, la Junta de Innovación Científica y Tecnológica emitió un anuncio de que Huazhuo Precision Technology puso fin a su oferta pública inicial.
Acabo de anunciar la entrega del primer equipo de recocido láser SIC de 8 pulgadas en China, que también es tecnología de Tsinghua; ¿Por qué retiraron ellos mismos los materiales? Sólo unas pocas palabras: En primer lugar, ¡los productos son demasiado diversos! A primera vista, no sé qué hacen. En la actualidad, H...Leer más -
Recubrimiento de carburo de silicio CVD-2
Recubrimiento de carburo de silicio CVD 1. ¿Por qué hay un recubrimiento de carburo de silicio? La capa epitaxial es una película delgada de cristal único específica que crece sobre la base de la oblea a través del proceso epitaxial. La oblea de sustrato y la película delgada epitaxial se denominan colectivamente obleas epitaxiales. Entre ellos, el...Leer más -
Proceso de preparación del recubrimiento SIC.
En la actualidad, los métodos de preparación del recubrimiento de SiC incluyen principalmente el método de gel-sol, el método de incrustación, el método de recubrimiento con brocha, el método de pulverización por plasma, el método de reacción química de vapor (CVR) y el método de deposición química de vapor (CVD). Método de incrustaciónEste método es un tipo de fase sólida de alta temperatura...Leer más -
Recubrimiento de carburo de silicio CVD-1
¿Qué es CVD SiC La deposición química de vapor (CVD) es un proceso de deposición al vacío que se utiliza para producir materiales sólidos de alta pureza? Este proceso se utiliza a menudo en el campo de la fabricación de semiconductores para formar películas delgadas en la superficie de las obleas. En el proceso de preparación de SiC por CVD, el sustrato se expande...Leer más -
Análisis de la estructura de dislocación en cristal de SiC mediante simulación de trazado de rayos asistida por imágenes topológicas de rayos X
Antecedentes de la investigación Importancia de la aplicación del carburo de silicio (SiC): como material semiconductor de banda prohibida amplia, el carburo de silicio ha atraído mucha atención debido a sus excelentes propiedades eléctricas (como una banda prohibida más grande, una mayor velocidad de saturación de electrones y conductividad térmica). Estos accesorios...Leer más -
Proceso de preparación de cristales semilla en crecimiento de monocristales de SiC 3
Verificación del crecimiento Los cristales semilla de carburo de silicio (SiC) se prepararon siguiendo el proceso descrito y se validaron mediante el crecimiento de cristales de SiC. La plataforma de crecimiento utilizada fue un horno de crecimiento por inducción de SiC de desarrollo propio con una temperatura de crecimiento de 2200 ℃, una presión de crecimiento de 200 Pa y un crecimiento...Leer más -
Proceso de preparación de cristales semilla en el crecimiento de cristales individuales de SiC (Parte 2)
2. Proceso experimental 2.1 Curado de la película adhesiva Se observó que la creación directa de una película de carbón o la unión con papel de grafito sobre obleas de SiC recubiertas con adhesivo generaba varios problemas: 1. En condiciones de vacío, la película adhesiva sobre obleas de SiC desarrolló una apariencia de escamas debido para firmar...Leer más -
Proceso de preparación de cristales semilla en crecimiento de monocristales de SiC
El material de carburo de silicio (SiC) tiene las ventajas de una amplia banda prohibida, alta conductividad térmica, alta intensidad de campo de ruptura crítica y alta velocidad de deriva de electrones saturados, lo que lo hace muy prometedor en el campo de la fabricación de semiconductores. Los monocristales de SiC generalmente se producen mediante...Leer más -
¿Cuáles son los métodos para el pulido de obleas?
De todos los procesos implicados en la creación de un chip, el destino final de la oblea es cortarla en troqueles individuales y empaquetarla en cajas pequeñas y cerradas con sólo unas pocas clavijas expuestas. El chip será evaluado en función de sus valores de umbral, resistencia, corriente y voltaje, pero nadie considerará...Leer más -
La introducción básica del proceso de crecimiento epitaxial de SiC
La capa epitaxial es una película monocristalina específica que crece sobre la oblea mediante un proceso epitaxial, y la oblea del sustrato y la película epitaxial se denominan oblea epitaxial. Al hacer crecer la capa epitaxial de carburo de silicio sobre el sustrato conductor de carburo de silicio, se obtiene el epitaxial homogéneo de carburo de silicio...Leer más -
Puntos clave del control de calidad del proceso de envasado de semiconductores.
Puntos clave para el control de calidad en el proceso de embalaje de semiconductoresActualmente, la tecnología de proceso para el embalaje de semiconductores ha mejorado y optimizado significativamente. Sin embargo, desde una perspectiva general, los procesos y métodos para el envasado de semiconductores aún no han alcanzado la perfección...Leer más -
Desafíos en el proceso de embalaje de semiconductores
Las técnicas actuales para el empaquetado de semiconductores están mejorando gradualmente, pero la medida en que se adopten equipos y tecnologías automatizados en el empaquetado de semiconductores determina directamente la obtención de los resultados esperados. Los procesos de envasado de semiconductores existentes todavía sufren...Leer más