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La estabilidad térmica de los componentes de cuarzo en la industria de semiconductores
Introducción En la industria de los semiconductores, la estabilidad térmica es de suma importancia para garantizar el funcionamiento confiable y eficiente de los componentes críticos. El cuarzo, una forma cristalina de dióxido de silicio (SiO2), ha ganado un importante reconocimiento por sus excepcionales propiedades de estabilidad térmica. T...Leer más -
Resistencia a la corrosión de recubrimientos de carburo de tantalio en la industria de semiconductores
Título: Resistencia a la corrosión de los recubrimientos de carburo de tantalio en la industria de los semiconductores Introducción En la industria de los semiconductores, la corrosión plantea un desafío importante para la longevidad y el rendimiento de los componentes críticos. Los recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) han surgido como una solución prometedora...Leer más -
¿Cómo medir la resistencia laminar de una película delgada?
Todas las películas delgadas utilizadas en la fabricación de semiconductores tienen resistencia, y la resistencia de la película tiene un impacto directo en el rendimiento del dispositivo. Normalmente no medimos la resistencia absoluta de la película, sino que utilizamos la resistencia de la lámina para caracterizarla. ¿Qué son la resistencia laminar y la resistencia volumétrica?...Leer más -
¿Puede la aplicación de recubrimiento de carburo de silicio CVD mejorar eficazmente la vida útil de los componentes?
El recubrimiento de carburo de silicio CVD es una tecnología que forma una película delgada en la superficie de los componentes, lo que puede hacer que los componentes tengan mejor resistencia al desgaste, resistencia a la corrosión, resistencia a altas temperaturas y otras propiedades. Estas excelentes propiedades hacen que los recubrimientos de carburo de silicio CVD se utilicen ampliamente...Leer más -
¿Los recubrimientos de carburo de silicio CVD tienen excelentes propiedades de amortiguación?
Sí, los recubrimientos de carburo de silicio CVD tienen excelentes propiedades de amortiguación. La amortiguación se refiere a la capacidad de un objeto para disipar energía y reducir la amplitud de la vibración cuando se somete a vibración o impacto. En muchas aplicaciones, las propiedades de amortiguación son muy importantes...Leer más -
Semiconductor de carburo de silicio: un futuro eficiente y respetuoso con el medio ambiente
En el campo de los materiales semiconductores, el carburo de silicio (SiC) se ha convertido en un candidato prometedor para la próxima generación de semiconductores eficientes y respetuosos con el medio ambiente. Con sus propiedades y potencial únicos, los semiconductores de carburo de silicio están allanando el camino hacia una economía más sostenible...Leer más -
Perspectivas de aplicación de las obleas de carburo de silicio en el campo de los semiconductores
En el campo de los semiconductores, la selección de materiales es fundamental para el rendimiento del dispositivo y el desarrollo de procesos. En los últimos años, las obleas de carburo de silicio, como material emergente, han atraído una amplia atención y han mostrado un gran potencial para su aplicación en el campo de los semiconductores. Silicio...Leer más -
Perspectivas de aplicación de las cerámicas de carburo de silicio en el campo de la energía solar fotovoltaica.
En los últimos años, a medida que ha aumentado la demanda mundial de energía renovable, la energía solar fotovoltaica se ha vuelto cada vez más importante como opción energética limpia y sostenible. En el desarrollo de la tecnología fotovoltaica, la ciencia de los materiales desempeña un papel crucial. Entre ellos, las cerámicas de carburo de silicio, un...Leer más -
Método de preparación de piezas de grafito recubiertas de TaC comunes.
Método PART/1CVD (deposición química de vapor): a 900-2300 ℃, utilizando TaCl5 y CnHm como fuentes de tantalio y carbono, H₂ como atmósfera reductora, Ar₂ como gas portador, película de deposición de reacción. El recubrimiento preparado es compacto, uniforme y de alta pureza. Sin embargo, existen algunos problemas...Leer más -
Aplicación de piezas de grafito recubiertas de TaC.
PARTE/1 El crisol, el soporte de la semilla y el anillo guía en horno monocristalino de SiC y AIN se cultivaron mediante el método PVT. Como se muestra en la Figura 2 [1], cuando se utiliza el método de transporte físico de vapor (PVT) para preparar SiC, el cristal semilla está en la región de temperatura relativamente baja, el SiC r...Leer más -
Estructura y tecnología de crecimiento del carburo de silicio (Ⅱ)
Cuarto, método de transferencia física de vapor El método de transporte físico de vapor (PVT) se originó a partir de la tecnología de sublimación en fase de vapor inventada por Lely en 1955. El polvo de SiC se coloca en un tubo de grafito y se calienta a alta temperatura para descomponer y sublimar el polvo de SiC...Leer más -
Estructura y tecnología de crecimiento del carburo de silicio (Ⅰ)
Primero, la estructura y propiedades del cristal de SiC. El SiC es un compuesto binario formado por el elemento Si y el elemento C en una proporción 1:1, es decir, 50% silicio (Si) y 50% carbono (C), y su unidad estructural básica es el tetraedro SI-C. Diagrama esquemático del tetraedro de carburo de silicio...Leer más