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Puntos clave del control de calidad del proceso de envasado de semiconductores.
Puntos clave para el control de calidad en el proceso de embalaje de semiconductoresActualmente, la tecnología de proceso para el embalaje de semiconductores ha mejorado y optimizado significativamente. Sin embargo, desde una perspectiva general, los procesos y métodos para el envasado de semiconductores aún no han alcanzado la perfección...Leer más -
Desafíos en el proceso de embalaje de semiconductores
Las técnicas actuales para el empaquetado de semiconductores están mejorando gradualmente, pero la medida en que se adopten equipos y tecnologías automatizados en el empaquetado de semiconductores determina directamente la obtención de los resultados esperados. Los procesos de envasado de semiconductores existentes todavía sufren...Leer más -
Investigación y análisis del proceso de embalaje de semiconductores.
Descripción general del proceso de semiconductores El proceso de semiconductores implica principalmente la aplicación de tecnologías de microfabricación y películas para conectar completamente chips y otros elementos dentro de diversas regiones, como sustratos y marcos. Esto facilita la extracción de terminales de plomo y el encapsulado con...Leer más -
Nuevas tendencias en la industria de semiconductores: la aplicación de tecnología de recubrimiento protector
La industria de los semiconductores está experimentando un crecimiento sin precedentes, especialmente en el ámbito de la electrónica de potencia de carburo de silicio (SiC). Con muchas fábricas de obleas a gran escala en construcción o expansión para satisfacer la creciente demanda de dispositivos de SiC en vehículos eléctricos, esto...Leer más -
¿Cuáles son los principales pasos en el procesamiento de sustratos de SiC?
Los pasos de procesamiento para producir sustratos de SiC son los siguientes: 1. Orientación del cristal: uso de difracción de rayos X para orientar el lingote de cristal. Cuando un haz de rayos X se dirige a la cara del cristal deseada, el ángulo del haz difractado determina la orientación del cristal...Leer más -
Un material importante que determina la calidad del crecimiento del silicio monocristalino: campo térmico
El proceso de crecimiento del silicio monocristalino se lleva a cabo íntegramente en el campo térmico. Un buen campo térmico favorece la mejora de la calidad del cristal y tiene una alta eficiencia de cristalización. El diseño del campo térmico determina en gran medida los cambios y cambios...Leer más -
¿Qué es el crecimiento epitaxial?
El crecimiento epitaxial es una tecnología que hace crecer una capa de un solo cristal sobre un sustrato de un solo cristal (sustrato) con la misma orientación del cristal que el sustrato, como si el cristal original se hubiera extendido hacia afuera. Esta capa monocristalina recién formada puede ser diferente del sustrato en términos de c...Leer más -
¿Cuál es la diferencia entre sustrato y epitaxia?
En el proceso de preparación de la oblea, hay dos eslabones principales: uno es la preparación del sustrato y el otro es la implementación del proceso epitaxial. El sustrato, una oblea cuidadosamente elaborada a partir de material monocristalino semiconductor, se puede colocar directamente en el proceso de fabricación de la oblea...Leer más -
Revelando las características versátiles de los calentadores de grafito
Los calentadores de grafito se han convertido en herramientas indispensables en diversas industrias debido a sus excepcionales propiedades y versatilidad. Desde laboratorios hasta entornos industriales, estos calentadores desempeñan un papel fundamental en procesos que van desde la síntesis de materiales hasta las técnicas analíticas. Entre los diversos...Leer más -
Explicación detallada de las ventajas y desventajas del grabado en seco y el grabado en húmedo.
En la fabricación de semiconductores, existe una técnica llamada "grabado" durante el procesamiento de un sustrato o de una película delgada formada sobre el sustrato. El desarrollo de la tecnología de grabado ha desempeñado un papel en la realización de la predicción hecha por el fundador de Intel, Gordon Moore, en 1965 de que “...Leer más -
Presentación de la alta eficiencia térmica y la estabilidad estelar de los calentadores de carburo de silicio
Los calentadores de carburo de silicio (SiC) están a la vanguardia de la gestión térmica en la industria de los semiconductores. Este artículo explora la eficiencia térmica excepcional y la notable estabilidad de los calentadores de SiC, arrojando luz sobre su papel crucial para garantizar un rendimiento y una confiabilidad óptimos en semiconductores...Leer más -
Exploración de las características de alta resistencia y alta dureza de las obleas de carburo de silicio
Las obleas de carburo de silicio (SiC) desempeñan un papel crucial en la industria de los semiconductores, ya que facilitan la producción de dispositivos electrónicos de alta calidad. Este artículo profundiza en las características notables de los barcos de oblea de SiC, centrándose en su resistencia y dureza excepcionales, y destaca su signi...Leer más