Método PART/1CVD (deposición química de vapor): a 900-2300 ℃, utilizando TaCl5 y CnHm como fuentes de tantalio y carbono, H₂ como atmósfera reductora, Ar₂ como gas portador, película de deposición de reacción. El recubrimiento preparado es compacto, uniforme y de alta pureza. Sin embargo, existen algunos problemas...
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