Características:
La resistividad de las cerámicas con propiedades semiconductoras es de aproximadamente 10-5 ~ 107ω.cm, y las propiedades semiconductoras de los materiales cerámicos se pueden obtener dopando o provocando defectos de red causados por desviación estequiométrica.Las cerámicas que utilizan este método incluyen TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 y SiC.Las diferentes características decerámica semiconductorason que su conductividad eléctrica cambia con el medio ambiente, lo que puede usarse para fabricar varios tipos de dispositivos cerámicos sensibles.
Como sensores sensibles al calor, sensibles al gas, sensibles a la humedad, sensibles a la presión, sensibles a la luz y otros.Los materiales semiconductores de espinela, como el Fe3O4, se mezclan con materiales de espinela no conductores, como el MgAl2O4, en soluciones sólidas controladas.
MgCr2O4 y Zr2TiO4 se pueden utilizar como termistores, que son dispositivos de resistencia cuidadosamente controlados que varían con la temperatura.El ZnO se puede modificar añadiendo óxidos como Bi, Mn, Co y Cr.
La mayoría de estos óxidos no se disuelven sólidamente en ZnO, sino que se desvían en el límite del grano para formar una capa de barrera, a fin de obtener materiales cerámicos de varistores de ZnO, y es un tipo de material con el mejor rendimiento en cerámicas de varistores.
El dopaje con SiC (como negro de humo humano o polvo de grafito) puede prepararmateriales semiconductorescon estabilidad a alta temperatura, utilizado como varios elementos calefactores de resistencia, es decir, varillas de carbono de silicio en hornos eléctricos de alta temperatura.Controle la resistividad y la sección transversal del SiC para lograr casi cualquier cosa deseada
Las condiciones de funcionamiento (hasta 1500 ° C), aumentar su resistividad y reducir la sección transversal del elemento calefactor aumentarán el calor generado.La varilla de carbono de silicio en el aire producirá una reacción de oxidación, el uso de la temperatura generalmente se limita a 1600 °C por debajo, el tipo ordinario de varilla de carbono de silicio.
La temperatura de funcionamiento segura es de 1350°C.En SiC, un átomo de Si es reemplazado por un átomo de N, porque N tiene más electrones, hay electrones en exceso y su nivel de energía está cerca de la banda de conducción inferior y es fácil subir a la banda de conducción, por lo que este estado de energía También se llama nivel de donante, esta mitad
Los conductores son semiconductores de tipo N o semiconductores conductores electrónicos.Si se usa un átomo de Al en SiC para reemplazar un átomo de Si, debido a la falta de un electrón, el estado energético del material formado está cerca de la banda de electrones de valencia anterior, es fácil aceptar electrones y, por lo tanto, se llama aceptante.
El nivel de energía principal, que deja una posición vacante en la banda de valencia que puede conducir electrones porque la posición vacante actúa igual que el portador de carga positiva, se llama semiconductor tipo P o semiconductor hueco (H. Sarman, 1989).
Hora de publicación: 02-sep-2023