Proceso de producción de obleas de carburo de silicio.

Oblea de carburo de silicioestá hecho de polvo de silicio de alta pureza y polvo de carbono de alta pureza como materias primas, y el cristal de carburo de silicio se cultiva mediante el método de transferencia física de vapor (PVT) y se procesa enoblea de carburo de silicio.

① Síntesis de materias primas.Se mezclaron polvo de silicio de alta pureza y polvo de carbono de alta pureza según una determinada proporción, y se sintetizaron partículas de carburo de silicio a alta temperatura por encima de 2000 ℃.Después de la trituración, limpieza y otros procesos, se preparan las materias primas en polvo de carburo de silicio de alta pureza que cumplen con los requisitos del crecimiento de cristales.

② Crecimiento de cristales.Utilizando polvo de SIC de alta pureza como materia prima, el cristal se cultivó mediante el método de transferencia física de vapor (PVT) utilizando un horno de crecimiento de cristales de desarrollo propio.

③ procesamiento de lingotes.El lingote de cristal de carburo de silicio obtenido se orientó mediante un orientador monocristalino de rayos X, luego se molió, laminó y se procesó hasta obtener un cristal de carburo de silicio de diámetro estándar.

④ Corte de cristal.Utilizando equipos de corte multilínea, los cristales de carburo de silicio se cortan en láminas delgadas con un espesor no superior a 1 mm.

⑤ Rectificado de virutas.La oblea se muele hasta obtener la planitud y rugosidad deseadas mediante fluidos de molienda de diamante de diferentes tamaños de partículas.

⑥ Pulido de virutas.El carburo de silicio pulido sin daños en la superficie se obtuvo mediante pulido mecánico y pulido mecánico químico.

⑦ Detección de virutas.Utilice microscopio óptico, difractómetro de rayos X, microscopio de fuerza atómica, probador de resistividad sin contacto, probador de planitud de superficie, probador integral de defectos de superficie y otros instrumentos y equipos para detectar la densidad de los microtúbulos, la calidad del cristal, la rugosidad de la superficie, la resistividad, la deformación, la curvatura, cambio de espesor, rayado de la superficie y otros parámetros de la oblea de carburo de silicio.En función de esto se determina el nivel de calidad del chip.

⑧ Limpieza de virutas.La lámina de pulido de carburo de silicio se limpia con un agente de limpieza y agua pura para eliminar el líquido de pulido residual y otra suciedad de la superficie de la lámina de pulido, y luego la oblea se sopla y se seca con nitrógeno de pureza ultra alta y una máquina secadora;La oblea se encapsula en una caja de láminas limpias en una cámara súper limpia para formar una oblea de carburo de silicio lista para usar.

Cuanto mayor es el tamaño del chip, más difícil es la tecnología de procesamiento y crecimiento del cristal correspondiente, y cuanto mayor es la eficiencia de fabricación de los dispositivos posteriores, menor es el costo unitario.