SemicerasSustrato de aluminio de plano M no polar de 10x10 mmestá meticulosamente diseñado para cumplir con los exigentes requisitos de las aplicaciones optoelectrónicas avanzadas. Este sustrato presenta una orientación en el plano M no polar, lo cual es fundamental para reducir los efectos de polarización en dispositivos como LED y diodos láser, lo que conduce a un mejor rendimiento y eficiencia.
ElSustrato de aluminio de plano M no polar de 10x10 mmestá elaborado con una calidad cristalina excepcional, lo que garantiza densidades de defectos mínimas y una integridad estructural superior. Esto lo convierte en una opción ideal para el crecimiento epitaxial de películas de nitruro III de alta calidad, que son esenciales para el desarrollo de dispositivos optoelectrónicos de próxima generación.
La ingeniería de precisión de Semicera garantiza que cadaSustrato de aluminio de plano M no polar de 10x10 mmOfrece un espesor constante y una superficie plana, que son cruciales para la deposición uniforme de la película y la fabricación del dispositivo. Además, el tamaño compacto del sustrato lo hace adecuado tanto para entornos de investigación como de producción, lo que permite un uso flexible en una variedad de aplicaciones. Con su excelente estabilidad térmica y química, este sustrato proporciona una base confiable para el desarrollo de tecnologías optoelectrónicas de vanguardia.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
