Estructura de barril con revestimiento de SiC para susceptor de barril

Breve descripción:

Semicera ofrece una amplia gama de susceptores y componentes de grafito diseñados para varios reactores de epitaxia.

A través de asociaciones estratégicas con fabricantes de equipos originales líderes en la industria, amplia experiencia en materiales y capacidades de fabricación avanzadas, Semicera ofrece diseños personalizados para cumplir con los requisitos específicos de su aplicación. Nuestro compromiso con la excelencia garantiza que usted reciba soluciones óptimas para las necesidades de su reactor de epitaxia.

 


Detalle del producto

Etiquetas de producto

Nuestra empresa proporcionaRecubrimiento de SiCServicios de procesamiento en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales mediante el método CVD, de modo que los gases especiales que contienen carbono y silicio puedan reaccionar a alta temperatura para obtener moléculas de Sic de alta pureza, que se pueden depositar en la superficie de los materiales recubiertos para formar uncapa protectora de SiCpara epitaxia tipo barril hipnótico.

 

Características principales:

1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza

2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica

3. BienRecubierto de cristal de SiCpara una superficie lisa

4. Alta durabilidad frente a limpieza química.

 
Piezas epitaxiales de 2-Si

 Especificaciones principales deRecubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina Fase β de la FCC
Densidad gramos/cm³ 3.21
Dureza Dureza Vickers 2500
Tamaño de grano μm 2~10
Pureza química % 99.99995
Capacidad calorífica J·kg-1·K-1 640
Temperatura de sublimación 2700
Fuerza flexural MPa (RT 4 puntos) 415
Módulo de Young Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) 430
Expansión Térmica (CTE) 10-6K-1 4.5
Conductividad térmica (W/mK) 300
2--cvd-sic-pureza---99-99995-_60366
5----sic-cristal_242127
Lugar de trabajo Semicera
Lugar de trabajo semicera 2
maquina de equipo
Procesamiento CNN, limpieza química, recubrimiento CVD
Nuestro servicio

  • Anterior:
  • Próximo: