Sustrato 4H-SiC tipo P con ángulo fuera de ángulo de 2~6 pulgadas y 4°

Los sustratos de 4H-SiC tipo P con ángulo desviado de 4° de 2 a 6 pulgadas de Semicera están diseñados para satisfacer las crecientes necesidades de los fabricantes de dispositivos de RF y potencia de alto rendimiento. La orientación fuera de ángulo de 4° garantiza un crecimiento epitaxial optimizado, lo que convierte a este sustrato en una base ideal para una variedad de dispositivos semiconductores, incluidos MOSFET, IGBT y diodos.

Este sustrato de 4H-SiC tipo P con un ángulo de 2 a 6 pulgadas y 4° tiene excelentes propiedades de material, incluida una alta conductividad térmica, un excelente rendimiento eléctrico y una excelente estabilidad mecánica. La orientación fuera de ángulo ayuda a reducir la densidad de los microtubos y promueve capas epitaxiales más suaves, lo cual es fundamental para mejorar el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo semiconductor final.

Los sustratos de 4H-SiC tipo P con ángulo de 4° de 2 a 6 pulgadas de Semicera están disponibles en una variedad de diámetros, que van desde 2 pulgadas hasta 6 pulgadas, para cumplir con diferentes requisitos de fabricación. Nuestros sustratos están diseñados con precisión para proporcionar niveles de dopaje uniformes y características de superficie de alta calidad, lo que garantiza que cada oblea cumpla con las estrictas especificaciones requeridas para aplicaciones electrónicas avanzadas.

El compromiso de Semicera con la innovación y la calidad garantiza que nuestros sustratos 4H-SiC tipo P con ángulo desviado de 4° de 2 a 6 pulgadas ofrezcan un rendimiento constante en una amplia gama de aplicaciones, desde electrónica de potencia hasta dispositivos de alta frecuencia. Este producto proporciona una solución confiable para la próxima generación de semiconductores de alto rendimiento y eficiencia energética, respaldando avances tecnológicos en industrias como la automotriz, las telecomunicaciones y las energías renovables.