semiceraestá emocionado de ofrecerSustratos de óxido de galio de 2", un material de última generación diseñado para mejorar el rendimiento de dispositivos semiconductores avanzados. Estos sustratos, hechos de óxido de galio (Ga2O3), cuentan con una banda prohibida ultra amplia, lo que los convierte en una opción ideal para aplicaciones optoelectrónicas UV, de alta potencia y de alta frecuencia.
Características clave:
• Banda prohibida ultra ancha: ElSustratos de óxido de galio de 2"Proporcionan una banda prohibida excepcional de aproximadamente 4,8 eV, lo que permite un funcionamiento con mayor voltaje y temperatura, superando con creces las capacidades de los materiales semiconductores tradicionales como el silicio.
•Voltaje de ruptura excepcional: Estos sustratos permiten que los dispositivos manejen voltajes significativamente más altos, lo que los hace perfectos para la electrónica de potencia, especialmente en aplicaciones de alto voltaje.
•Excelente conductividad térmica: Con una estabilidad térmica superior, estos sustratos mantienen un rendimiento constante incluso en entornos térmicos extremos, ideales para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.
•Materiales de alta calidad: ElSustratos de óxido de galio de 2"ofrecen bajas densidades de defectos y alta calidad cristalina, lo que garantiza el rendimiento confiable y eficiente de sus dispositivos semiconductores.
•Aplicaciones versátiles: Estos sustratos son adecuados para una variedad de aplicaciones, incluidos transistores de potencia, diodos Schottky y dispositivos LED UV-C, y ofrecen una base sólida para innovaciones optoelectrónicas y de energía.
Libere todo el potencial de sus dispositivos semiconductores con SemiceraSustratos de óxido de galio de 2". Nuestros sustratos están diseñados para satisfacer las exigentes necesidades de las aplicaciones avanzadas actuales, garantizando un alto rendimiento, confiabilidad y eficiencia. Elija Semicera para obtener materiales semiconductores de última generación que impulsen la innovación.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
