semicerase enorgullece de presentar elSustrato de oblea de nitruro de aluminio de 30 mm, un material de primer nivel diseñado para satisfacer las estrictas demandas de las aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas modernas. Los sustratos de nitruro de aluminio (AlN) son reconocidos por sus excelentes propiedades de conductividad térmica y aislamiento eléctrico, lo que los convierte en una opción ideal para dispositivos de alto rendimiento.
Características clave:
• Conductividad térmica excepcional: ElSustrato de oblea de nitruro de aluminio de 30 mmCuenta con una conductividad térmica de hasta 170 W/mK, significativamente más alta que otros materiales de sustrato, lo que garantiza una disipación de calor eficiente en aplicaciones de alta potencia.
•Alto aislamiento eléctrico: Con excelentes propiedades de aislamiento eléctrico, este sustrato minimiza la diafonía y la interferencia de señal, lo que lo hace ideal para aplicaciones de RF y microondas.
•Resistencia mecánica: ElSustrato de oblea de nitruro de aluminio de 30 mmOfrece resistencia mecánica y estabilidad superiores, lo que garantiza durabilidad y confiabilidad incluso en condiciones de operación rigurosas.
•Aplicaciones versátiles: Este sustrato es perfecto para usar en LED de alta potencia, diodos láser y componentes de RF, proporcionando una base sólida y confiable para sus proyectos más exigentes.
•Fabricación de precisión: Semicera garantiza que cada sustrato de oblea se fabrique con la más alta precisión, ofreciendo un espesor uniforme y una calidad de superficie para cumplir con los exigentes estándares de los dispositivos electrónicos avanzados.
Maximiza la eficiencia y confiabilidad de tus dispositivos con SemiceraSustrato de oblea de nitruro de aluminio de 30 mm. Nuestros sustratos están diseñados para ofrecer un rendimiento superior, garantizando que sus sistemas electrónicos y optoelectrónicos funcionen de la mejor manera. Confíe en Semicera para obtener materiales de vanguardia que lideran la industria en calidad e innovación.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
