El material monocristalino de carburo de silicio (SiC) tiene un gran ancho de banda prohibida (~Si 3 veces), alta conductividad térmica (~Si 3,3 veces o GaAs 10 veces), alta tasa de migración de saturación de electrones (~Si 2,5 veces), alta descomposición eléctrica. campo (~Si 10 veces o GaAs 5 veces) y otras características destacadas.
Los materiales semiconductores de tercera generación incluyen principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque su ancho de banda prohibida (Eg) es mayor o igual a 2,3 electronvoltios (eV), también conocidos como materiales semiconductores de banda prohibida ancha. En comparación con los materiales semiconductores de primera y segunda generación, los materiales semiconductores de tercera generación tienen las ventajas de una alta conductividad térmica, un alto campo eléctrico de ruptura, una alta tasa de migración de electrones saturados y una alta energía de enlace, que pueden cumplir con los nuevos requisitos de la tecnología electrónica moderna para alta Temperatura, alta potencia, alta presión, alta frecuencia y resistencia a la radiación y otras condiciones duras. Tiene importantes perspectivas de aplicación en los campos de la defensa nacional, la aviación, el sector aeroespacial, la exploración petrolera, el almacenamiento óptico, etc., y puede reducir la pérdida de energía en más del 50% en muchas industrias estratégicas como las comunicaciones de banda ancha, la energía solar, la fabricación de automóviles, iluminación de semiconductores y redes inteligentes, y puede reducir el volumen de equipos en más de un 75 %, lo que supone un hito para el desarrollo de la ciencia y la tecnología humanas.
Semicera Energy puede proporcionar a los clientes sustratos de carburo de silicio conductivo (conductor), semiaislante (semiaislante) y HPSI (semiaislante de alta pureza) de alta calidad; Además, podemos ofrecer a los clientes láminas epitaxiales de carburo de silicio homogéneas y heterogéneas; También podemos personalizar la lámina epitaxial según las necesidades específicas de los clientes y no existe una cantidad mínima de pedido.
ESPECIFICACIONES DE OBLEAS
*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante
Artículo | 8 pulgadas | 6 pulgadas | 4 pulgadas | ||
notario público | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco(GF3YFCD)-Valor absoluto | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
Deformación (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Borde de oblea | biselado |
ACABADO SUPERFICIAL
*n-Pm=tipo n grado Pm,n-Ps=tipo n grado Ps,Sl=semiaislante
Artículo | 8 pulgadas | 6 pulgadas | 4 pulgadas | ||
notario público | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Acabado superficial | Pulido óptico de doble cara, Si-Face CMP | ||||
Rugosidad de la superficie | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm Cara C Ra≤ 0,5 nm | (5umx5um) Cara de Si Ra≤0.2nm Cara C Ra≤0.5nm | |||
Astillas de borde | Ninguno permitido (largo y ancho ≥0,5 mm) | ||||
Sangrías | Ninguno permitido | ||||
Arañazos (Si-Cara) | Cant. ≤ 5, acumulativo Longitud≤0,5×diámetro de oblea | Cant. ≤ 5, acumulativo Longitud≤0,5×diámetro de oblea | Cant. ≤ 5, acumulativo Longitud≤0,5×diámetro de oblea | ||
Grietas | Ninguno permitido | ||||
Exclusión de borde | 3mm |