4″ 6″ 8″ Sustratos conductores y semiaislantes

Breve descripción:

Semicera se compromete a proporcionar sustratos semiconductores de alta calidad, que son materiales clave para la fabricación de dispositivos semiconductores. Nuestros sustratos se dividen en tipos conductores y semiaislantes para satisfacer las necesidades de diferentes aplicaciones. Al comprender en profundidad las propiedades eléctricas de los sustratos, Semicera le ayuda a elegir los materiales más adecuados para garantizar un rendimiento excelente en la fabricación de dispositivos. Elija Semicera, elija una calidad excelente que enfatice tanto la confiabilidad como la innovación.


Detalle del producto

Etiquetas de producto

El material monocristalino de carburo de silicio (SiC) tiene un gran ancho de banda prohibida (~Si 3 veces), alta conductividad térmica (~Si 3,3 veces o GaAs 10 veces), alta tasa de migración de saturación de electrones (~Si 2,5 veces), alta descomposición eléctrica. campo (~Si 10 veces o GaAs 5 veces) y otras características destacadas.

Los materiales semiconductores de tercera generación incluyen principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque su ancho de banda prohibida (Eg) es mayor o igual a 2,3 electronvoltios (eV), también conocidos como materiales semiconductores de banda prohibida ancha. En comparación con los materiales semiconductores de primera y segunda generación, los materiales semiconductores de tercera generación tienen las ventajas de una alta conductividad térmica, un alto campo eléctrico de ruptura, una alta tasa de migración de electrones saturados y una alta energía de enlace, que pueden cumplir con los nuevos requisitos de la tecnología electrónica moderna para alta Temperatura, alta potencia, alta presión, alta frecuencia y resistencia a la radiación y otras condiciones duras. Tiene importantes perspectivas de aplicación en los campos de la defensa nacional, la aviación, el sector aeroespacial, la exploración petrolera, el almacenamiento óptico, etc., y puede reducir la pérdida de energía en más del 50% en muchas industrias estratégicas como las comunicaciones de banda ancha, la energía solar, la fabricación de automóviles, iluminación de semiconductores y redes inteligentes, y puede reducir el volumen de equipos en más de un 75 %, lo que supone un hito para el desarrollo de la ciencia y la tecnología humanas.

Semicera Energy puede proporcionar a los clientes sustratos de carburo de silicio conductivo (conductor), semiaislante (semiaislante) y HPSI (semiaislante de alta pureza) de alta calidad; Además, podemos ofrecer a los clientes láminas epitaxiales de carburo de silicio homogéneas y heterogéneas; También podemos personalizar la lámina epitaxial según las necesidades específicas de los clientes y no existe una cantidad mínima de pedido.

ESPECIFICACIONES DE OBLEAS

*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante

Artículo 8 pulgadas 6 pulgadas 4 pulgadas
notario público n-Pm n-Ps SI SI
TTV (GBIR) ≤6um ≤6um
Arco(GF3YFCD)-Valor absoluto ≤15 μm ≤15 μm ≤25 μm ≤15 μm
Deformación (GF3YFER) ≤25 μm ≤25 μm ≤40 μm ≤25 μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm <2μm
Borde de oblea biselado

ACABADO SUPERFICIAL

*n-Pm=tipo n grado Pm,n-Ps=tipo n grado Ps,Sl=semiaislante

elemento 8 pulgadas 6 pulgadas 4 pulgadas
notario público n-Pm n-Ps SI SI
Acabado superficial Pulido óptico de doble cara, Si-Face CMP
Rugosidad de la superficie (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
Cara C Ra≤ 0,5 nm
(5umx5um) Cara de Si Ra≤0.2nm
Cara C Ra≤0.5nm
Astillas de borde Ninguno permitido (largo y ancho ≥0,5 mm)
Sangrías Ninguno permitido
Arañazos (Si-Cara) Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea
Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea
Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea
Grietas Ninguno permitido
Exclusión de borde 3mm
Capítulo 2-2
Capítulo 2-1
Obleas de SiC

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