Lingote de SiC tipo N de 4″6″ 8″

Breve descripción:

Los lingotes de SiC tipo N de 4”, 6” y 8” de Semicera son la piedra angular de los dispositivos semiconductores de alta potencia y alta frecuencia. Al ofrecer propiedades eléctricas y conductividad térmica superiores, estos lingotes están diseñados para respaldar la producción de componentes electrónicos confiables y eficientes. Confíe en Semicera por su calidad y rendimiento inigualables.


Detalle del producto

Etiquetas de producto

Los lingotes de SiC tipo N de 4", 6" y 8" de Semicera representan un gran avance en materiales semiconductores, diseñados para satisfacer las crecientes demandas de los sistemas electrónicos y de energía modernos. Estos lingotes proporcionan una base robusta y estable para diversas aplicaciones de semiconductores, asegurando una óptima rendimiento y longevidad.

Nuestros lingotes de SiC tipo N se producen mediante procesos de fabricación avanzados que mejoran su conductividad eléctrica y estabilidad térmica. Esto los hace ideales para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, como inversores, transistores y otros dispositivos electrónicos de potencia donde la eficiencia y la confiabilidad son primordiales.

El dopaje preciso de estos lingotes garantiza que ofrezcan un rendimiento consistente y repetible. Esta coherencia es fundamental para los desarrolladores y fabricantes que están ampliando los límites de la tecnología en campos como el aeroespacial, el automotriz y el de las telecomunicaciones. Los lingotes de SiC de Semicera permiten la producción de dispositivos que funcionan de manera eficiente en condiciones extremas.

Elegir los lingotes de SiC tipo N de Semicera significa integrar materiales que puedan soportar altas temperaturas y altas cargas eléctricas con facilidad. Estos lingotes son particularmente adecuados para crear componentes que requieren una excelente gestión térmica y operación de alta frecuencia, como amplificadores de RF y módulos de potencia.

Al optar por los lingotes de SiC tipo N de 4", 6" y 8" de Semicera, está invirtiendo en un producto que combina propiedades excepcionales del material con la precisión y confiabilidad que exigen las tecnologías de semiconductores de vanguardia. Semicera continúa liderando la industria al proporcionando soluciones innovadoras que impulsan el avance de la fabricación de dispositivos electrónicos.

Elementos

Producción

Investigación

Ficticio

Parámetros de cristal

politipo

4H

Error de orientación de la superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

dopante

Nitrógeno tipo n

Resistividad

0.015-0.025ohm·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350±25 micras

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Longitud plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

piso secundario

Ninguno

televisión

≤5 micras

≤10 micras

≤15 micras

TVL

≤3 micras(5mm*5mm)

≤5 micras(5mm*5mm)

≤10 micras(5mm*5mm)

Arco

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Urdimbre

≤35 micras

≤45 micras

≤55 micras

Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Estructura

Densidad de microtubos

<1 unidad/cm2

<10 c/cm2

<15 c/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

TLP

≤1500 unidades/cm2

≤3000 unidades/cm2

NA

TSD

≤500 unidades/cm2

≤1000 unidades/cm2

NA

Calidad frontal

Frente

Si

Acabado superficial

CMP de cara Si

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)

NA

Arañazos

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro

Longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación

Ninguno

NA

Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales

Ninguno

Áreas politipo

Ninguno

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcado láser frontal

Ninguno

Calidad trasera

Acabado trasero

CMP cara C

Arañazos

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)

Ninguno

Rugosidad de la espalda

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcado láser trasero

1 mm (desde el borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaje

Embalaje

Epi-ready con envasado al vacío

Envasado de casetes de obleas múltiples

*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.

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Obleas de SiC

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