Los lingotes de SiC tipo N de 4", 6" y 8" de Semicera representan un gran avance en materiales semiconductores, diseñados para satisfacer las crecientes demandas de los sistemas electrónicos y de energía modernos. Estos lingotes proporcionan una base robusta y estable para diversas aplicaciones de semiconductores, asegurando una óptima rendimiento y longevidad.
Nuestros lingotes de SiC tipo N se producen mediante procesos de fabricación avanzados que mejoran su conductividad eléctrica y estabilidad térmica. Esto los hace ideales para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, como inversores, transistores y otros dispositivos electrónicos de potencia donde la eficiencia y la confiabilidad son primordiales.
El dopaje preciso de estos lingotes garantiza que ofrezcan un rendimiento consistente y repetible. Esta coherencia es fundamental para los desarrolladores y fabricantes que están ampliando los límites de la tecnología en campos como el aeroespacial, el automotriz y el de las telecomunicaciones. Los lingotes de SiC de Semicera permiten la producción de dispositivos que funcionan de manera eficiente en condiciones extremas.
Elegir los lingotes de SiC tipo N de Semicera significa integrar materiales que puedan soportar altas temperaturas y altas cargas eléctricas con facilidad. Estos lingotes son particularmente adecuados para crear componentes que requieren una excelente gestión térmica y operación de alta frecuencia, como amplificadores de RF y módulos de potencia.
Al optar por los lingotes de SiC tipo N de 4", 6" y 8" de Semicera, está invirtiendo en un producto que combina propiedades excepcionales del material con la precisión y confiabilidad que exigen las tecnologías de semiconductores de vanguardia. Semicera continúa liderando la industria al proporcionando soluciones innovadoras que impulsan el avance de la fabricación de dispositivos electrónicos.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
