semicerapresenta con orgullo suSustratos de óxido de galio de 4", un material innovador diseñado para satisfacer las crecientes demandas de dispositivos semiconductores de alto rendimiento. Óxido de galio (Ga2O3) los sustratos ofrecen una banda prohibida ultra amplia, lo que los hace ideales para electrónica de potencia de próxima generación, optoelectrónica UV y dispositivos de alta frecuencia.
Características clave:
• Banda prohibida ultra ancha: ElSustratos de óxido de galio de 4"cuentan con una banda prohibida de aproximadamente 4,8 eV, lo que permite una tolerancia excepcional al voltaje y la temperatura, superando significativamente a los materiales semiconductores tradicionales como el silicio.
•Alto voltaje de ruptura: Estos sustratos permiten que los dispositivos funcionen a voltajes y potencias más altos, lo que los hace perfectos para aplicaciones de alto voltaje en electrónica de potencia.
•Estabilidad térmica superior: Los sustratos de óxido de galio ofrecen una excelente conductividad térmica, lo que garantiza un rendimiento estable en condiciones extremas, ideal para su uso en entornos exigentes.
•Alta calidad de materiales: Con bajas densidades de defectos y alta calidad de cristal, estos sustratos garantizan un rendimiento confiable y consistente, mejorando la eficiencia y durabilidad de sus dispositivos.
•Aplicación versátil: Adecuado para una amplia gama de aplicaciones, incluidos transistores de potencia, diodos Schottky y dispositivos LED UV-C, lo que permite innovaciones tanto en el campo de la energía como en el optoelectrónico.
Explore el futuro de la tecnología de semiconductores con SemiceraSustratos de óxido de galio de 4". Nuestros sustratos están diseñados para admitir las aplicaciones más avanzadas, proporcionando la confiabilidad y eficiencia necesarias para los dispositivos de vanguardia actuales. Confíe en Semicera por la calidad e innovación en sus materiales semiconductores.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
