Los sustratos de oblea pulidos de doble cara de SiC semiaislantes de alta pureza (HPSI) de 4 pulgadas de Semicera están diseñados para satisfacer las exigentes demandas de la industria de semiconductores. Estos sustratos están diseñados con una planitud y pureza excepcionales, lo que ofrece una plataforma óptima para dispositivos electrónicos de vanguardia.
Estas obleas HPSI SiC se distinguen por sus propiedades superiores de conductividad térmica y aislamiento eléctrico, lo que las convierte en una excelente opción para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia. El proceso de pulido de doble cara garantiza una rugosidad superficial mínima, lo cual es crucial para mejorar el rendimiento y la longevidad del dispositivo.
La alta pureza de las obleas de SiC de Semicera minimiza los defectos y las impurezas, lo que conduce a mayores tasas de rendimiento y confiabilidad del dispositivo. Estos sustratos son adecuados para una amplia gama de aplicaciones, incluidos dispositivos de microondas, electrónica de potencia y tecnologías LED, donde la precisión y la durabilidad son esenciales.
Centrándose en la innovación y la calidad, Semicera utiliza técnicas de fabricación avanzadas para producir obleas que cumplen con los estrictos requisitos de la electrónica moderna. El pulido de doble cara no sólo mejora la resistencia mecánica sino que también facilita una mejor integración con otros materiales semiconductores.
Al elegir los sustratos de oblea pulidos de doble cara HPSI SiC semiaislantes de alta pureza de 4 pulgadas de Semicera, los fabricantes pueden aprovechar los beneficios de una gestión térmica y un aislamiento eléctrico mejorados, allanando el camino para el desarrollo de dispositivos electrónicos más eficientes y potentes. Semicera continúa liderando la industria con su compromiso con la calidad y el avance tecnológico.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
