Los sustratos de SiC tipo N de 4 pulgadas de Semicera están diseñados para cumplir con los exigentes estándares de la industria de semiconductores. Estos sustratos proporcionan una base de alto rendimiento para una amplia gama de aplicaciones electrónicas y ofrecen conductividad y propiedades térmicas excepcionales.
El dopaje tipo N de estos sustratos de SiC mejora su conductividad eléctrica, lo que los hace particularmente adecuados para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia. Esta propiedad permite el funcionamiento eficiente de dispositivos como diodos, transistores y amplificadores, donde minimizar la pérdida de energía es crucial.
Semicera utiliza procesos de fabricación de última generación para garantizar que cada sustrato muestre una excelente calidad y uniformidad de la superficie. Esta precisión es fundamental para aplicaciones en electrónica de potencia, dispositivos de microondas y otras tecnologías que exigen un rendimiento confiable en condiciones extremas.
Incorporar los sustratos de SiC tipo N de Semicera a su línea de producción significa beneficiarse de materiales que ofrecen una disipación de calor y estabilidad eléctrica superiores. Estos sustratos son ideales para crear componentes que requieren durabilidad y eficiencia, como sistemas de conversión de energía y amplificadores de RF.
Al elegir los sustratos de SiC tipo N de 4 pulgadas de Semicera, está invirtiendo en un producto que combina ciencia de materiales innovadora con una artesanía meticulosa. Semicera continúa liderando la industria brindando soluciones que respaldan el desarrollo de tecnologías de semiconductores de vanguardia, garantizando un alto rendimiento y confiabilidad.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
