Sustrato de SiC de 4 pulgadas tipo N

Imagen destacada de sustrato de SiC tipo N de 4 pulgadas

Breve descripción:

Semicera ofrece una amplia gama de obleas de SiC 4H-8H. Durante muchos años, hemos sido fabricantes y proveedores de productos para las industrias de semiconductores y fotovoltaica. Nuestros productos principales incluyen: placas de grabado de carburo de silicio, remolques para embarcaciones de carburo de silicio, embarcaciones de obleas de carburo de silicio (PV y semiconductores), tubos para hornos de carburo de silicio, paletas voladizas de carburo de silicio, mandriles de carburo de silicio, vigas de carburo de silicio, así como recubrimientos CVD de SiC y Recubrimientos de TaC. Cubriendo la mayoría de los mercados europeos y americanos. Esperamos ser su socio a largo plazo en China.

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El material monocristalino de carburo de silicio (SiC) tiene un gran ancho de banda prohibida (~Si 3 veces), alta conductividad térmica (~Si 3,3 veces o GaAs 10 veces), alta tasa de migración de saturación de electrones (~Si 2,5 veces), alta descomposición eléctrica. campo (~Si 10 veces o GaAs 5 veces) y otras características destacadas.

Semicera Energy puede proporcionar a los clientes sustratos de carburo de silicio conductivo (conductor), semiaislante (semiaislante) y HPSI (semiaislante de alta pureza) de alta calidad; Además, podemos ofrecer a los clientes láminas epitaxiales de carburo de silicio homogéneas y heterogéneas; También podemos personalizar la lámina epitaxial según las necesidades específicas de los clientes y no existe una cantidad mínima de pedido.

Elementos	Producción	Investigación	Ficticio
Parámetros de cristal
politipo	4H
Error de orientación de la superficie	<11-20 >4±0,15°
Parámetros eléctricos
dopante	Nitrógeno tipo n
Resistividad	0.015-0.025ohm·cm
Parámetros mecánicos
Diámetro	99,5 - 100 mm
Espesor	350±25 micras
Orientación plana primaria	[1-100]±5°
Longitud plana primaria	32,5 ± 1,5 mm
Posición plana secundaria	90° CW desde plano primario ±5°. silicona boca arriba
Longitud plana secundaria	18±1,5 mm
televisión	≤5 micras	≤10 micras	≤20 micras
TVL	≤2 micras(5mm*5mm)	≤5 micras(5mm*5mm)	NA
Arco	-15 μm ~ 15 μm	-35 μm ~ 35 μm	-45 μm ~ 45 μm
Urdimbre	≤20 micras	≤45 micras	≤50 micras
Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Estructura
Densidad de microtubos	≤1 unidad/cm2	≤5 unidades/cm2	≤10 c/cm2
Impurezas metálicas	≤5E10átomos/cm2		NA
TLP	≤1500 unidades/cm2	≤3000 unidades/cm2	NA
TSD	≤500 unidades/cm2	≤1000 unidades/cm2	NA
Calidad frontal
Frente	Si
Acabado superficial	CMP de cara Si
Partículas	≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)	NA
Arañazos	≤2ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro	Longitud acumulada≤2*Diámetro	NA
Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación	Ninguno		NA
Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales	Ninguno		NA
Áreas politipo	Ninguno	Área acumulada≤20%	Área acumulada≤30%
Marcado láser frontal	Ninguno
Calidad trasera
Acabado trasero	CMP cara C
Arañazos	≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro	NA
Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)	Ninguno
Rugosidad de la espalda	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Marcado láser trasero	1 mm (desde el borde superior)
Borde
Borde	Chaflán
Embalaje
Embalaje	La bolsa interior se llena con nitrógeno y la bolsa exterior se aspira. Casete multioblea, preparado para epi.
*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.