Los lingotes de SiC semiaislantes de alta pureza de 4”6” de Semicera están diseñados para cumplir con los exigentes estándares de la industria de semiconductores. Estos lingotes se producen centrándose en la pureza y la consistencia, lo que los convierte en una opción ideal para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia donde el rendimiento es primordial.
Las propiedades únicas de estos lingotes de SiC, incluida una alta conductividad térmica y una excelente resistividad eléctrica, los hacen especialmente adecuados para su uso en electrónica de potencia y dispositivos de microondas. Su naturaleza semiaislante permite una disipación de calor eficaz y una interferencia eléctrica mínima, lo que da lugar a componentes más eficientes y fiables.
Semicera emplea procesos de fabricación de última generación para producir lingotes con una calidad y uniformidad de cristal excepcionales. Esta precisión garantiza que cada lingote pueda utilizarse de forma fiable en aplicaciones sensibles, como amplificadores de alta frecuencia, diodos láser y otros dispositivos optoelectrónicos.
Disponibles en tamaños de 4 y 6 pulgadas, los lingotes de SiC de Semicera brindan la flexibilidad necesaria para diversas escalas de producción y requisitos tecnológicos. Ya sea para investigación y desarrollo o para producción en masa, estos lingotes ofrecen el rendimiento y la durabilidad que exigen los sistemas electrónicos modernos.
Al elegir los lingotes de SiC semiaislantes de alta pureza de Semicera, está invirtiendo en un producto que combina ciencia de materiales avanzada con una experiencia de fabricación incomparable. Semicera se dedica a apoyar la innovación y el crecimiento de la industria de semiconductores, ofreciendo materiales que permitan el desarrollo de dispositivos electrónicos de vanguardia.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
