Lingote de SiC semiaislante de alta pureza de 4 ″ 6 ″

Breve descripción:

Los lingotes de SiC semiaislantes de alta pureza de 4”6” de Semicera están meticulosamente elaborados para aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas avanzadas. Con una conductividad térmica y una resistividad eléctrica superiores, estos lingotes proporcionan una base sólida para dispositivos de alto rendimiento. Semicera garantiza calidad y confiabilidad constantes en cada producto.


Detalle del producto

Etiquetas de producto

Los lingotes de SiC semiaislantes de alta pureza de 4”6” de Semicera están diseñados para cumplir con los exigentes estándares de la industria de semiconductores. Estos lingotes se producen centrándose en la pureza y la consistencia, lo que los convierte en una opción ideal para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia donde el rendimiento es primordial.

Las propiedades únicas de estos lingotes de SiC, incluida una alta conductividad térmica y una excelente resistividad eléctrica, los hacen especialmente adecuados para su uso en electrónica de potencia y dispositivos de microondas. Su naturaleza semiaislante permite una disipación de calor eficaz y una interferencia eléctrica mínima, lo que da lugar a componentes más eficientes y fiables.

Semicera emplea procesos de fabricación de última generación para producir lingotes con una calidad y uniformidad de cristal excepcionales. Esta precisión garantiza que cada lingote pueda utilizarse de forma fiable en aplicaciones sensibles, como amplificadores de alta frecuencia, diodos láser y otros dispositivos optoelectrónicos.

Disponibles en tamaños de 4 y 6 pulgadas, los lingotes de SiC de Semicera brindan la flexibilidad necesaria para diversas escalas de producción y requisitos tecnológicos. Ya sea para investigación y desarrollo o para producción en masa, estos lingotes ofrecen el rendimiento y la durabilidad que exigen los sistemas electrónicos modernos.

Al elegir los lingotes de SiC semiaislantes de alta pureza de Semicera, está invirtiendo en un producto que combina ciencia de materiales avanzada con una experiencia de fabricación incomparable. Semicera se dedica a apoyar la innovación y el crecimiento de la industria de semiconductores, ofreciendo materiales que permitan el desarrollo de dispositivos electrónicos de vanguardia.

Elementos

Producción

Investigación

Ficticio

Parámetros de cristal

politipo

4H

Error de orientación de la superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

dopante

Nitrógeno tipo n

Resistividad

0.015-0.025ohm·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350±25 micras

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Longitud plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

piso secundario

Ninguno

televisión

≤5 micras

≤10 micras

≤15 micras

TVL

≤3 micras(5mm*5mm)

≤5 micras(5mm*5mm)

≤10 micras(5mm*5mm)

Arco

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Urdimbre

≤35 micras

≤45 micras

≤55 micras

Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Estructura

Densidad de microtubos

<1 unidad/cm2

<10 c/cm2

<15 c/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

TLP

≤1500 unidades/cm2

≤3000 unidades/cm2

NA

TSD

≤500 unidades/cm2

≤1000 unidades/cm2

NA

Calidad frontal

Frente

Si

Acabado superficial

CMP de cara Si

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)

NA

Arañazos

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro

Longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación

Ninguno

NA

Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales

Ninguno

Áreas politipo

Ninguno

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcado láser frontal

Ninguno

Calidad trasera

Acabado trasero

CMP cara C

Arañazos

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)

Ninguno

Rugosidad de la espalda

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcado láser trasero

1 mm (desde el borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaje

Embalaje

Epi-ready con envasado al vacío

Envasado de casetes de obleas múltiples

*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.

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Obleas de SiC

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