Sustrato de SiC tipo N de 6 pulgadas

Breve descripción:

Semicera ofrece una amplia gama de obleas de SiC 4H-8H. Durante muchos años, hemos sido fabricantes y proveedores de productos para las industrias de semiconductores y fotovoltaica. Nuestros productos principales incluyen: placas de grabado de carburo de silicio, remolques para embarcaciones de carburo de silicio, embarcaciones de obleas de carburo de silicio (PV y semiconductores), tubos para hornos de carburo de silicio, paletas voladizas de carburo de silicio, mandriles de carburo de silicio, vigas de carburo de silicio, así como recubrimientos CVD de SiC y Recubrimientos de TaC. Cubriendo la mayoría de los mercados europeos y americanos. Esperamos ser su socio a largo plazo en China.

 

Detalle del producto

Etiquetas de producto

El material monocristalino de carburo de silicio (SiC) tiene un gran ancho de banda prohibida (~Si 3 veces), alta conductividad térmica (~Si 3,3 veces o GaAs 10 veces), alta tasa de migración de saturación de electrones (~Si 2,5 veces), alta descomposición eléctrica. campo (~Si 10 veces o GaAs 5 veces) y otras características destacadas.

Los materiales semiconductores de tercera generación incluyen principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque su ancho de banda prohibida (Eg) es mayor o igual a 2,3 electronvoltios (eV), también conocidos como materiales semiconductores de banda prohibida ancha. En comparación con los materiales semiconductores de primera y segunda generación, los materiales semiconductores de tercera generación tienen las ventajas de una alta conductividad térmica, un alto campo eléctrico de ruptura, una alta tasa de migración de electrones saturados y una alta energía de enlace, que pueden cumplir con los nuevos requisitos de la tecnología electrónica moderna para alta Temperatura, alta potencia, alta presión, alta frecuencia y resistencia a la radiación y otras condiciones duras. Tiene importantes perspectivas de aplicación en los campos de la defensa nacional, la aviación, el sector aeroespacial, la exploración petrolera, el almacenamiento óptico, etc., y puede reducir la pérdida de energía en más del 50% en muchas industrias estratégicas como las comunicaciones de banda ancha, la energía solar, la fabricación de automóviles, iluminación de semiconductores y redes inteligentes, y puede reducir el volumen de equipos en más de un 75 %, lo que supone un hito para el desarrollo de la ciencia y la tecnología humanas.

Semicera Energy puede proporcionar a los clientes sustratos de carburo de silicio conductivo (conductor), semiaislante (semiaislante) y HPSI (semiaislante de alta pureza) de alta calidad; Además, podemos ofrecer a los clientes láminas epitaxiales de carburo de silicio homogéneas y heterogéneas; También podemos personalizar la lámina epitaxial según las necesidades específicas de los clientes y no existe una cantidad mínima de pedido.

Elementos

Producción

Investigación

Ficticio

Parámetros de cristal

politipo

4H

Error de orientación de la superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

dopante

Nitrógeno tipo n

Resistividad

0.015-0.025ohm·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350±25 micras

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Longitud plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

piso secundario

Ninguno

televisión

≤5 micras

≤10 micras

≤15 micras

TVL

≤3 micras(5mm*5mm)

≤5 micras(5mm*5mm)

≤10 micras(5mm*5mm)

Arco

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Urdimbre

≤35 micras

≤45 micras

≤55 micras

Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Estructura

Densidad de microtubos

<1 unidad/cm2

<10 c/cm2

<15 c/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

TLP

≤1500 unidades/cm2

≤3000 unidades/cm2

NA

TSD

≤500 unidades/cm2

≤1000 unidades/cm2

NA

Calidad frontal

Frente

Si

Acabado superficial

CMP de cara Si

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)

NA

Arañazos

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro

Longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación

Ninguno

NA

Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales

Ninguno

Áreas politipo

Ninguno

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcado láser frontal

Ninguno

Calidad trasera

Acabado trasero

CMP cara C

Arañazos

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)

Ninguno

Rugosidad de la espalda

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcado láser trasero

1 mm (desde el borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaje

Embalaje

Epi-ready con envasado al vacío

Envasado de casetes de obleas múltiples

*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.

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Obleas de SiC

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