La oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas de Semicera está a la vanguardia de la tecnología de semiconductores. Diseñada para un rendimiento óptimo, esta oblea destaca en aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura, esenciales para dispositivos electrónicos avanzados.
Nuestra oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas presenta una alta movilidad de electrones y una baja resistencia, que son parámetros críticos para dispositivos de potencia como MOSFET, diodos y otros componentes. Estas propiedades garantizan una conversión de energía eficiente y una generación de calor reducida, mejorando el rendimiento y la vida útil de los sistemas electrónicos.
Los rigurosos procesos de control de calidad de Semicera garantizan que cada oblea de SiC mantenga una superficie plana excelente y defectos mínimos. Esta meticulosa atención al detalle garantiza que nuestras obleas cumplan con los estrictos requisitos de industrias como la automotriz, aeroespacial y de telecomunicaciones.
Además de sus propiedades eléctricas superiores, la oblea de SiC tipo N ofrece una sólida estabilidad térmica y resistencia a altas temperaturas, lo que la hace ideal para entornos donde los materiales convencionales pueden fallar. Esta capacidad es particularmente valiosa en aplicaciones que involucran operaciones de alta frecuencia y alta potencia.
Al elegir la oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas de Semicera, está invirtiendo en un producto que representa la cúspide de la innovación en semiconductores. Estamos comprometidos a proporcionar los componentes básicos para dispositivos de vanguardia, garantizando que nuestros socios en diversas industrias tengan acceso a los mejores materiales para sus avances tecnológicos.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
