Oblea de SiC HPSI semiaislante de 6 pulgadas

Breve descripción:

Las obleas HPSI SiC semiaislantes de 6 pulgadas de Semicera están diseñadas para ofrecer la máxima eficiencia y confiabilidad en electrónica de alto rendimiento. Estas obleas presentan excelentes propiedades térmicas y eléctricas, lo que las hace ideales para una variedad de aplicaciones, incluidos dispositivos de potencia y electrónica de alta frecuencia. Elija Semicera para obtener calidad e innovación superiores.


Detalle del producto

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Las obleas HPSI SiC semiaislantes de 6 pulgadas de Semicera están diseñadas para satisfacer las rigurosas demandas de la tecnología de semiconductores moderna. Con una pureza y consistencia excepcionales, estas obleas sirven como base confiable para desarrollar componentes electrónicos de alta eficiencia.

Estas obleas HPSI SiC son conocidas por su excelente conductividad térmica y aislamiento eléctrico, que son fundamentales para optimizar el rendimiento de dispositivos de potencia y circuitos de alta frecuencia. Las propiedades semiaislantes ayudan a minimizar las interferencias eléctricas y maximizar la eficiencia del dispositivo.

El proceso de fabricación de alta calidad empleado por Semicera garantiza que cada oblea tenga un espesor uniforme y defectos superficiales mínimos. Esta precisión es esencial para aplicaciones avanzadas como dispositivos de radiofrecuencia, inversores de potencia y sistemas LED, donde el rendimiento y la durabilidad son factores clave.

Al aprovechar técnicas de producción de última generación, Semicera proporciona obleas que no sólo cumplen sino que superan los estándares de la industria. El tamaño de 6 pulgadas ofrece flexibilidad para ampliar la producción, atendiendo tanto a aplicaciones comerciales como de investigación en el sector de los semiconductores.

Elegir las obleas HPSI SiC semiaislantes de 6 pulgadas de Semicera significa invertir en un producto que ofrece calidad y rendimiento constantes. Estas obleas son parte del compromiso de Semicera de mejorar las capacidades de la tecnología de semiconductores a través de materiales innovadores y una artesanía meticulosa.

Elementos

Producción

Investigación

Ficticio

Parámetros de cristal

politipo

4H

Error de orientación de la superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

dopante

Nitrógeno tipo n

Resistividad

0.015-0.025ohm·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350±25 micras

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Longitud plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

piso secundario

Ninguno

televisión

≤5 micras

≤10 micras

≤15 micras

TVL

≤3 micras(5mm*5mm)

≤5 micras(5mm*5mm)

≤10 micras(5mm*5mm)

Arco

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Urdimbre

≤35 micras

≤45 micras

≤55 micras

Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Estructura

Densidad de microtubos

<1 unidad/cm2

<10 c/cm2

<15 c/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

TLP

≤1500 unidades/cm2

≤3000 unidades/cm2

NA

TSD

≤500 unidades/cm2

≤1000 unidades/cm2

NA

Calidad frontal

Frente

Si

Acabado superficial

CMP de cara Si

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)

NA

Arañazos

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro

Longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación

Ninguno

NA

Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales

Ninguno

Áreas politipo

Ninguno

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcado láser frontal

Ninguno

Calidad trasera

Acabado trasero

CMP cara C

Arañazos

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)

Ninguno

Rugosidad de la espalda

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcado láser trasero

1 mm (desde el borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaje

Embalaje

Epi-ready con envasado al vacío

Envasado de casetes de obleas múltiples

*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.

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