Las obleas HPSI SiC semiaislantes de 6 pulgadas de Semicera están diseñadas para satisfacer las rigurosas demandas de la tecnología de semiconductores moderna. Con una pureza y consistencia excepcionales, estas obleas sirven como una base confiable para desarrollar componentes electrónicos de alta eficiencia.
Estas obleas HPSI SiC son conocidas por su excelente conductividad térmica y aislamiento eléctrico, que son fundamentales para optimizar el rendimiento de dispositivos de potencia y circuitos de alta frecuencia. Las propiedades semiaislantes ayudan a minimizar las interferencias eléctricas y maximizar la eficiencia del dispositivo.
El proceso de fabricación de alta calidad empleado por Semicera garantiza que cada oblea tenga un espesor uniforme y defectos superficiales mínimos. Esta precisión es esencial para aplicaciones avanzadas como dispositivos de radiofrecuencia, inversores de potencia y sistemas LED, donde el rendimiento y la durabilidad son factores clave.
Al aprovechar técnicas de producción de última generación, Semicera proporciona obleas que no sólo cumplen sino que superan los estándares de la industria. El tamaño de 6 pulgadas ofrece flexibilidad para ampliar la producción, atendiendo tanto a aplicaciones comerciales como de investigación en el sector de los semiconductores.
Elegir las obleas HPSI SiC semiaislantes de 6 pulgadas de Semicera significa invertir en un producto que ofrece calidad y rendimiento constantes. Estas obleas son parte del compromiso de Semicera de mejorar las capacidades de la tecnología de semiconductores a través de materiales innovadores y una artesanía meticulosa.
Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
Parámetros de cristal | |||
politipo | 4H | ||
Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
Parámetros eléctricos | |||
dopante | Nitrógeno tipo n | ||
Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
Parámetros mecánicos | |||
Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Espesor | 350±25 micras | ||
Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
piso secundario | Ninguno | ||
televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Estructura | |||
Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
Calidad frontal | |||
Frente | Si | ||
Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
Marcado láser frontal | Ninguno | ||
Calidad trasera | |||
Acabado trasero | CMP cara C | ||
Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
Borde | |||
Borde | Chaflán | ||
Embalaje | |||
Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. |