Sustrato sic tipo n de 6 pulgadas

Breve descripción:

El sustrato de SiC tipo n de 6 pulgadas‌ es un material semiconductor que se caracteriza por el uso de un tamaño de oblea de 6 pulgadas, lo que aumenta la cantidad de dispositivos que se pueden producir en una sola oblea en una superficie mayor, reduciendo así los costos a nivel de dispositivo. . El desarrollo y la aplicación de sustratos de SiC tipo n de 6 pulgadas se beneficiaron del avance de tecnologías como el método de crecimiento RAF, que reduce las dislocaciones cortando cristales a lo largo de dislocaciones y direcciones paralelas y haciendo crecer los cristales, mejorando así la calidad del sustrato. La aplicación de este sustrato es de gran importancia para mejorar la eficiencia de producción y reducir los costos de los dispositivos de potencia de SiC.

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Detalle del producto

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El material monocristalino de carburo de silicio (SiC) tiene un gran ancho de banda prohibida (~Si 3 veces), alta conductividad térmica (~Si 3,3 veces o GaAs 10 veces), alta tasa de migración de saturación de electrones (~Si 2,5 veces), alta descomposición eléctrica. campo (~Si 10 veces o GaAs 5 veces) y otras características destacadas.

Los materiales semiconductores de tercera generación incluyen principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque su ancho de banda prohibida (Eg) es mayor o igual a 2,3 electronvoltios (eV), también conocidos como materiales semiconductores de banda prohibida ancha. En comparación con los materiales semiconductores de primera y segunda generación, los materiales semiconductores de tercera generación tienen las ventajas de una alta conductividad térmica, un alto campo eléctrico de ruptura, una alta tasa de migración de electrones saturados y una alta energía de enlace, que pueden cumplir con los nuevos requisitos de la tecnología electrónica moderna para alta Temperatura, alta potencia, alta presión, alta frecuencia y resistencia a la radiación y otras condiciones duras. Tiene importantes perspectivas de aplicación en los campos de la defensa nacional, la aviación, el sector aeroespacial, la exploración petrolera, el almacenamiento óptico, etc., y puede reducir la pérdida de energía en más del 50% en muchas industrias estratégicas como las comunicaciones de banda ancha, la energía solar, la fabricación de automóviles, iluminación de semiconductores y redes inteligentes, y puede reducir el volumen de equipos en más de un 75 %, lo que supone un hito para el desarrollo de la ciencia y la tecnología humanas.

Semicera Energy puede proporcionar a los clientes sustratos de carburo de silicio conductivo (conductor), semiaislante (semiaislante) y HPSI (semiaislante de alta pureza) de alta calidad; Además, podemos ofrecer a los clientes láminas epitaxiales de carburo de silicio homogéneas y heterogéneas; También podemos personalizar la lámina epitaxial según las necesidades específicas de los clientes y no existe una cantidad mínima de pedido.

ESPECIFICACIONES BÁSICAS DEL PRODUCTO

Tamaño	6 pulgadas
Diámetro	150,0 mm+0 mm/-0,2 mm
Orientación de la superficie	fuera del eje: 4°hacia<1120>±0,5°
Longitud plana primaria	47,5 mm 1,5 mm
Orientación plana primaria	<1120>±1,0°
Piso Secundario	Ninguno
Espesor	350,0um±25,0um
politipo	4H
Tipo conductor	tipo n

ESPECIFICACIONES DE CALIDAD DEL CRISTAL

6 pulgadas
Artículo	Grado P-MOS	Grado P-SBD
Resistividad	0.015Ω·cm-0.025Ω·cm
politipo	Ninguno permitido
Densidad del microtubo	≤0,2/cm2	≤0,5/cm2
DEP	≤4000/cm2	≤8000/cm2
TED	≤3000/cm2	≤6000/cm2
TLP	≤1000/cm2	≤2000/cm2
TSD	≤300/cm2	≤1000/cm2
SF (medido por UV-PL-355 nm)	≤0,5% área	≤1% área
Placas hexagonales por luz de alta intensidad.	Ninguno permitido
Visual CarbonInclusiones por luz de alta intensidad.	Área acumulativa≤0,05%