Las obleas de SiC tipo N de 8 pulgadas de Semicera están a la vanguardia de la innovación en semiconductores y proporcionan una base sólida para el desarrollo de dispositivos electrónicos de alto rendimiento. Estas obleas están diseñadas para satisfacer las rigurosas demandas de las aplicaciones electrónicas modernas, desde electrónica de potencia hasta circuitos de alta frecuencia.
El dopaje de tipo N en estas obleas de SiC mejora su conductividad eléctrica, lo que las hace ideales para una amplia gama de aplicaciones, incluidos diodos de potencia, transistores y amplificadores. La conductividad superior garantiza una pérdida mínima de energía y un funcionamiento eficiente, que son fundamentales para dispositivos que funcionan a altas frecuencias y niveles de potencia.
Semicera emplea técnicas de fabricación avanzadas para producir obleas de SiC con una uniformidad superficial excepcional y defectos mínimos. Este nivel de precisión es esencial para aplicaciones que requieren rendimiento y durabilidad constantes, como en las industrias aeroespacial, automotriz y de telecomunicaciones.
La incorporación de obleas de SiC tipo N de 8 pulgadas de Semicera en su línea de producción proporciona una base para crear componentes que puedan soportar ambientes hostiles y altas temperaturas. Estas obleas son perfectas para aplicaciones de conversión de energía, tecnología de RF y otros campos exigentes.
Elegir las obleas de SiC tipo N de 8 pulgadas de Semicera significa invertir en un producto que combina ciencia de materiales de alta calidad con ingeniería precisa. Semicera se compromete a mejorar las capacidades de las tecnologías de semiconductores, ofreciendo soluciones que mejoran la eficiencia y confiabilidad de sus dispositivos electrónicos.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
