El sustrato conductor de SiC tipo n de 8 pulgadas proporciona un rendimiento incomparable para dispositivos electrónicos de potencia, proporcionando una excelente conductividad térmica, un alto voltaje de ruptura y una excelente calidad para aplicaciones de semiconductores avanzadas. Semicera ofrece soluciones líderes en la industria con su sustrato de SiC conductivo tipo n de 8 pulgadas diseñado.
El sustrato conductor de SiC tipo n de 8 pulgadas de Semicera es un material de vanguardia diseñado para satisfacer las crecientes demandas de la electrónica de potencia y las aplicaciones de semiconductores de alto rendimiento. El sustrato combina las ventajas del carburo de silicio y la conductividad tipo n para ofrecer un rendimiento inigualable en dispositivos que requieren alta densidad de potencia, eficiencia térmica y confiabilidad.
El sustrato conductor de SiC tipo n de 8 pulgadas de Semicera está cuidadosamente elaborado para garantizar una calidad y consistencia superiores. Presenta una excelente conductividad térmica para una disipación eficiente del calor, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta potencia como inversores de potencia, diodos y transistores. Además, el alto voltaje de ruptura de este sustrato garantiza que pueda soportar condiciones exigentes, proporcionando una plataforma sólida para electrónica de alto rendimiento.
Semicera reconoce el papel fundamental que desempeña el sustrato conductor de SiC tipo n de 8 lnch en el avance de la tecnología de semiconductores. Nuestros sustratos se fabrican mediante procesos de última generación para garantizar una densidad mínima de defectos, lo cual es fundamental para el desarrollo de dispositivos eficientes. Esta atención al detalle permite productos que respaldan la producción de productos electrónicos de próxima generación con mayor rendimiento y durabilidad.
Nuestro sustrato conductor de SiC tipo n de 8 pulgadas también está diseñado para satisfacer las necesidades de una amplia gama de aplicaciones, desde automoción hasta energía renovable. La conductividad de tipo n proporciona las propiedades eléctricas necesarias para desarrollar dispositivos de energía eficientes, lo que convierte a este sustrato en un componente clave en la transición hacia tecnologías más eficientes energéticamente.
En Semicera, estamos comprometidos a proporcionar sustratos que impulsen la innovación en la fabricación de semiconductores. El sustrato conductor de SiC tipo n de 8 pulgadas es un testimonio de nuestra dedicación a la calidad y la excelencia, garantizando que nuestros clientes reciban el mejor material posible para sus aplicaciones.
Parámetros básicos
| Tamaño | 8 pulgadas |
| Diámetro | 200,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Orientación de la superficie | fuera del eje: 4° hacia <1120>士0,5° |
| Orientación de la muesca | <1100>士1° |
| Ángulo de muesca | 90°+5°/-1° |
| Profundidad de muesca | 1mm+0,25mm/-0mm |
| Piso Secundario | / |
| Espesor | 500,0士25,0um/350,0±25,0um |
| politipo | 4H |
| Tipo conductor | tipo n |
