Susceptor planetario de deposición de capa atómica ALD

Susceptor planetario de deposición de capas atómicas ALD Imagen destacada

Breve descripción:

El susceptor planetario de deposición de capas atómicas ALD de Semicera está diseñado para la deposición precisa y uniforme de películas delgadas en la fabricación de semiconductores. Su construcción robusta y materiales avanzados garantizan un alto rendimiento y longevidad. El susceptor de Semicera mejora la calidad de la deposición y la eficiencia del proceso, lo que lo convierte en un componente esencial para aplicaciones ALD de vanguardia.

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La deposición de capas atómicas (ALD) es una tecnología de deposición química de vapor que genera películas delgadas capa por capa inyectando alternativamente dos o más moléculas precursoras. ALD tiene las ventajas de una alta controlabilidad y uniformidad y puede usarse ampliamente en dispositivos semiconductores, dispositivos optoelectrónicos, dispositivos de almacenamiento de energía y otros campos. Los principios básicos de ALD incluyen la adsorción de precursores, la reacción superficial y la eliminación de subproductos, y se pueden formar materiales multicapa repitiendo estos pasos en un ciclo. ALD tiene las características y ventajas de alta controlabilidad, uniformidad y estructura no porosa, y puede usarse para la deposición de una variedad de materiales de sustrato y diversos materiales.

Susceptor planetario de deposición de capa atómica ALD (1)

ALD tiene las siguientes características y ventajas:
1. Alta controlabilidad:Dado que ALD es un proceso de crecimiento capa por capa, el espesor y la composición de cada capa de material se pueden controlar con precisión.
2. Uniformidad:ALD puede depositar materiales de manera uniforme en toda la superficie del sustrato, evitando los desniveles que pueden ocurrir en otras tecnologías de deposición.
3. Estructura no porosa:Dado que ALD se deposita en unidades de átomos o moléculas individuales, la película resultante suele tener una estructura densa y no porosa.
4. Buen desempeño de cobertura:ALD puede cubrir eficazmente estructuras de alta relación de aspecto, como matrices de nanoporos, materiales de alta porosidad, etc.
5. Escalabilidad:ALD se puede utilizar para una variedad de materiales de sustrato, incluidos metales, semiconductores, vidrio, etc.
6. Versatilidad:Al seleccionar diferentes moléculas precursoras, se puede depositar una variedad de materiales diferentes en el proceso ALD, como óxidos metálicos, sulfuros, nitruros, etc.