El anillo de grabado de carburo de silicio (SiC) CVD es un componente especial hecho de carburo de silicio (SiC) mediante el método de deposición química de vapor (CVD). El anillo de grabado de carburo de silicio (SiC) CVD desempeña un papel clave en una variedad de aplicaciones industriales, especialmente en procesos que implican el grabado de materiales. El carburo de silicio es un material cerámico único y avanzado conocido por sus excelentes propiedades, que incluyen alta dureza, excelente conductividad térmica y resistencia a entornos químicos hostiles.
El proceso de deposición química de vapor implica depositar una fina capa de SiC sobre un sustrato en un ambiente controlado, lo que da como resultado un material de alta pureza y diseñado con precisión. El carburo de silicio CVD es conocido por su microestructura uniforme y densa, excelente resistencia mecánica y estabilidad térmica mejorada.
El anillo de grabado de carburo de silicio CVD (SiC) está hecho de carburo de silicio CVD, que no solo garantiza una excelente durabilidad, sino que también resiste la corrosión química y los cambios extremos de temperatura. Esto lo hace ideal para aplicaciones donde la precisión, la confiabilidad y la vida útil son fundamentales.
✓Máxima calidad en el mercado chino
✓Buen servicio siempre para ti, 7*24 horas
✓Fecha de entrega corta
✓Pequeño MOQ bienvenido y aceptado
✓Servicios personalizados
Susceptor de crecimiento de epitaxia
Las obleas de silicio/carburo de silicio deben pasar por múltiples procesos para poder usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/sic, en la que las obleas de silicio/sic se transportan sobre una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portador planetario mueve la oblea del sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad del recubrimiento, lo que a su vez afecta la tasa de desperdicio de la viruta. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos recubrir casi cualquier componente con una capa de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 M, aún podemos recubrirlo con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión por oxidación requiere una alta pureza del producto, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento CVD y personalizados para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la suspensión de carburo de silicio procesada en bruto de Semicea y el tubo del horno de carburo de silicio que se limpia en el 1000-nivellibre de polvohabitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes del recubrimiento. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99,99% y la pureza del recubrimiento sic es superior al 99,99995%.
Paleta de carburo de silicio en bruto y tubo de proceso de SiC en limpieza
Barco de oblea de carburo de silicio con revestimiento CVD SiC
