Los anillos de carburo de silicio (SiC) CVD que ofrece Semicera son componentes clave en el grabado de semiconductores, una etapa vital en la fabricación de dispositivos semiconductores. La composición de estos anillos de carburo de silicio (SiC) CVD garantiza una estructura resistente y duradera que puede soportar las duras condiciones del proceso de grabado. La deposición química de vapor ayuda a formar una capa de SiC densa, uniforme y de alta pureza, lo que proporciona a los anillos una excelente resistencia mecánica, estabilidad térmica y resistencia a la corrosión.
Como elemento clave en la fabricación de semiconductores, los anillos de carburo de silicio (SiC) CVD actúan como una barrera protectora para proteger la integridad de los chips semiconductores. Su diseño preciso garantiza un grabado uniforme y controlado, lo que ayuda en la fabricación de dispositivos semiconductores altamente complejos, proporcionando rendimiento y confiabilidad mejorados.
El uso de material CVD SiC en la construcción de los anillos demuestra un compromiso con la calidad y el rendimiento en la fabricación de semiconductores. Este material tiene propiedades únicas, que incluyen alta conductividad térmica, excelente inercia química y resistencia al desgaste y a la corrosión, lo que hace que los anillos de carburo de silicio (SiC) CVD sean un componente indispensable en la búsqueda de precisión y eficiencia en los procesos de grabado de semiconductores.
El anillo de carburo de silicio (SiC) CVD de Semicera representa una solución avanzada en el campo de la fabricación de semiconductores, que utiliza las propiedades únicas del carburo de silicio depositado con vapor químico para lograr procesos de grabado confiables y de alto rendimiento, promoviendo el avance continuo de la tecnología de semiconductores. Estamos comprometidos a brindar a los clientes excelentes productos y soporte técnico profesional para satisfacer la demanda de la industria de semiconductores de soluciones de grabado eficientes y de alta calidad.
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Susceptor de crecimiento de epitaxia
Las obleas de silicio/carburo de silicio deben pasar por múltiples procesos para poder usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/sic, en la que las obleas de silicio/sic se transportan sobre una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portador planetario mueve la oblea del sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad del recubrimiento, lo que a su vez afecta la tasa de desperdicio de la viruta. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos recubrir casi cualquier componente con una capa de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 M, aún podemos recubrirlo con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión por oxidación requiere una alta pureza del producto, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento CVD y personalizados para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la suspensión de carburo de silicio procesada en bruto de Semicea y el tubo del horno de carburo de silicio que se limpia en el 1000-nivellibre de polvohabitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes del recubrimiento. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99,99% y la pureza del recubrimiento sic es superior al 99,99995%..
Paleta de carburo de silicio en bruto y tubo de proceso de SiC en limpieza
Barco de oblea de carburo de silicio con revestimiento CVD SiC
