Nuestra empresa proporcionaRecubrimiento de SiCServicios de procesamiento en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales mediante el método CVD, de modo que los gases especiales que contienen carbono y silicio puedan reaccionar a alta temperatura para obtener moléculas de Sic de alta pureza, que se pueden depositar en la superficie de los materiales recubiertos para formar uncapa protectora de SiCpara epitaxia tipo barril hipnótico.
Características principales:
1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. BienRecubierto de cristal de SiCpara una superficie lisa
4. Alta durabilidad frente a limpieza química.
Especificaciones principales deRecubrimiento CVD-SIC
| Propiedades de SiC-CVD | ||
| Estructura cristalina | Fase β de la FCC | |
| Densidad | gramos/cm³ | 3.21 |
| Dureza | Dureza Vickers | 2500 |
| Tamaño de grano | µm | 2~10 |
| Pureza química | % | 99.99995 |
| Capacidad calorífica | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimación | ℃ | 2700 |
| Fuerza flexural | MPa (RT 4 puntos) | 415 |
| Módulo de Young | Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) | 430 |
| Expansión Térmica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
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