Epitaxy Wafer Carrier es un componente crítico en la producción de semiconductores, especialmente enSi epitaxiayEpitaxia de SiCprocesos. Semicera diseña y fabrica cuidadosamenteObleaPortadores para soportar temperaturas extremadamente altas y entornos químicos, lo que garantiza un rendimiento excelente en aplicaciones comoSusceptor MOCVDy Susceptor de barril. Ya sea la deposición de silicio monocristalino o procesos complejos de epitaxia, el Epitaxy Wafer Carrier de Semicera proporciona una excelente uniformidad y estabilidad.
SemicerasPortador de oblea de epitaxiaestá hecho de materiales avanzados con excelente resistencia mecánica y conductividad térmica, lo que puede reducir efectivamente las pérdidas y la inestabilidad durante el proceso. Además, el diseño de laObleaCarrier también puede adaptarse a equipos de epitaxia de diferentes tamaños, mejorando así la eficiencia general de la producción.
Para los clientes que requieren procesos de epitaxia de alta precisión y pureza, Epitaxy Wafer Carrier de Semicera es una opción confiable. Siempre estamos comprometidos a brindar a los clientes una excelente calidad de producto y soporte técnico confiable para ayudar a mejorar la confiabilidad y eficiencia de los procesos de producción.
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Susceptor de crecimiento de epitaxia
Las obleas de silicio/carburo de silicio deben pasar por múltiples procesos para poder usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/sic, en la que las obleas de silicio/sic se transportan sobre una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portador planetario mueve la oblea del sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad del recubrimiento, lo que a su vez afecta la tasa de desperdicio de la viruta. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos recubrir casi cualquier componente con una capa de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 M, aún podemos recubrirlo con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión por oxidación requiere una alta pureza del producto, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento CVD y personalizados para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la suspensión de carburo de silicio procesada en bruto de Semicea y el tubo del horno de carburo de silicio que se limpia en el 1000-nivellibre de polvohabitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes del recubrimiento. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99,98% y la pureza del recubrimiento sic es superior al 99,9995%..
Paleta de carburo de silicio en bruto y tubo de proceso de SiC en limpieza
Barco de oblea de carburo de silicio con revestimiento CVD SiC
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