semiceraofrece con orgulloGa2O3epitaxia, una solución de última generación diseñada para ampliar los límites de la electrónica de potencia y la optoelectrónica. Esta avanzada tecnología epitaxial aprovecha las propiedades únicas del óxido de galio (Ga2O3) para ofrecer un rendimiento superior en aplicaciones exigentes.
Características clave:
• Banda prohibida excepcionalmente amplia: Ga2O3epitaxiaCuenta con una banda prohibida ultra amplia, lo que permite voltajes de ruptura más altos y un funcionamiento eficiente en entornos de alta potencia.
•Alta conductividad térmica: La capa epitaxial proporciona una excelente conductividad térmica, lo que garantiza un funcionamiento estable incluso en condiciones de alta temperatura, lo que la hace ideal para dispositivos de alta frecuencia.
•Calidad superior de los materiales: Logre una alta calidad de cristal con defectos mínimos, garantizando un rendimiento y una longevidad óptimos del dispositivo, especialmente en aplicaciones críticas como transistores de potencia y detectores UV.
•Versatilidad en aplicaciones: Perfectamente adecuado para electrónica de potencia, aplicaciones de RF y optoelectrónica, proporcionando una base confiable para dispositivos semiconductores de próxima generación.
Descubra el potencial deGa2O3epitaxiacon las soluciones innovadoras de Semicera. Nuestros productos epitaxiales están diseñados para cumplir con los más altos estándares de calidad y rendimiento, permitiendo que sus dispositivos funcionen con la máxima eficiencia y confiabilidad. Elija Semicera para obtener tecnología de semiconductores de vanguardia.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
