Semicera se enorgullece de presentar laGa2O3sustrato, un material de vanguardia preparado para revolucionar la electrónica de potencia y la optoelectrónica.Óxido de galio (Ga2O3) sustratosson conocidos por su banda prohibida ultra ancha, lo que los hace ideales para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.
Características clave:
• Banda prohibida ultra ancha: Ga2O3 ofrece una banda prohibida de aproximadamente 4,8 eV, lo que mejora significativamente su capacidad para manejar altos voltajes y temperaturas en comparación con materiales tradicionales como el silicio y el GaN.
• Alto voltaje de ruptura: Con un campo de ruptura excepcional, elGa2O3sustratoEs perfecto para dispositivos que requieren operación de alto voltaje, asegurando mayor eficiencia y confiabilidad.
• Estabilidad térmica: La estabilidad térmica superior del material lo hace adecuado para aplicaciones en ambientes extremos, manteniendo el rendimiento incluso en condiciones difíciles.
• Aplicaciones versátiles: Ideal para usar en transistores de potencia de alta eficiencia, dispositivos optoelectrónicos UV y más, proporcionando una base sólida para sistemas electrónicos avanzados.
Experimente el futuro de la tecnología de semiconductores con SemiceraGa2O3sustrato. Diseñado para satisfacer las crecientes demandas de la electrónica de alta potencia y alta frecuencia, este sustrato establece un nuevo estándar de rendimiento y durabilidad. Confíe en Semicera para ofrecer soluciones innovadoras para sus aplicaciones más desafiantes.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
