Los materiales semiconductores de tercera generación incluyen principalmente SiC, GaN, diamante, etc., porque su ancho de banda prohibida (Eg) es mayor o igual a 2,3 electronvoltios (eV), también conocidos como materiales semiconductores de banda prohibida ancha. En comparación con los materiales semiconductores de primera y segunda generación, los materiales semiconductores de tercera generación tienen las ventajas de una alta conductividad térmica, un alto campo eléctrico de ruptura, una alta tasa de migración de electrones saturados y una alta energía de enlace, que pueden cumplir con los nuevos requisitos de la tecnología electrónica moderna para alta Temperatura, alta potencia, alta presión, alta frecuencia y resistencia a la radiación y otras condiciones duras. Tiene importantes perspectivas de aplicación en los campos de la defensa nacional, la aviación, el sector aeroespacial, la exploración petrolera, el almacenamiento óptico, etc., y puede reducir la pérdida de energía en más del 50% en muchas industrias estratégicas como las comunicaciones de banda ancha, la energía solar, la fabricación de automóviles, iluminación de semiconductores y redes inteligentes, y puede reducir el volumen de equipos en más de un 75 %, lo que supone un hito para el desarrollo de la ciencia y la tecnología humanas.
| Artículo 项目 | GaN-FS-CU-C50 | GaN-FS-CN-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
| Diámetro | 50,8 ± 1mm | ||
| Espesor厚度 | 350 ± 25 micras | ||
| Orientación | Plano C (0001) fuera del ángulo hacia el eje M 0,35 ± 0,15° | ||
| Piso privilegiado | (1-100) 0 ± 0,5°, 16 ± 1 mm | ||
| Piso Secundario | (11-20) 0 ± 3°, 8 ± 1 mm | ||
| Conductividad | tipo N | tipo N | Semiaislante |
| Resistividad (300K) | < 0,1 Ω·cm | < 0,05 Ω·cm | > 106 Ω·cm |
| televisión | ≤ 15 µm | ||
| ARCO | ≤ 20 µm | ||
| Rugosidad de la superficie de la cara Ga | < 0,2 nm (pulido); | ||
| o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia) | |||
| N Rugosidad de la superficie de la cara | 0,5 ~ 1,5 µm | ||
| opción: 1~3 nm (tierra fina); < 0,2 nm (pulido) | |||
| Densidad de dislocación | De 1 x 105 a 3 x 106 cm-2 (calculado por CL)* | ||
| Densidad de defectos macro | < 2cm-2 | ||
| Área utilizable | > 90% (exclusión de defectos de borde y macro) | ||
| Se puede personalizar según los requisitos del cliente, diferentes estructuras de lámina epitaxial de GaN basada en silicio, zafiro y SiC. | |||
