Descripción
El susceptor de grafito conRecubrimiento de carburo de silicio, 6 piezasPortador de oblea de 6 pulgadasde semicera ofrece una durabilidad y conductividad térmica excepcionales para aplicaciones de crecimiento epitaxial de alto rendimiento. Semicera se especializa en susceptores avanzados diseñados para mejorar procesos comoSi epitaxiayEpitaxia de SiC, lo que garantiza un rendimiento confiable en entornos de semiconductores exigentes.
Este susceptor está diseñado específicamente para su uso conSusceptor MOCVDsistemas y ofrece compatibilidad con varios operadores, como PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier y RTP Carrier. Es ideal para la producción de silicio monocristalino y configuraciones de susceptor epitaxial LED, ya que ofrece versatilidad en diferentes configuraciones, incluidos los diseños de susceptor de barril y susceptor de panqueque.
El susceptor de grafito con revestimiento de carburo de silicio también admite aplicaciones en el sector de la energía solar mediante su integración con piezas fotovoltaicas y destaca en procesos de epitaxia de GaN en SiC. Su capacidad de portador de obleas de 6 pulgadas garantiza un alto rendimiento, lo que la convierte en una herramienta esencial para los fabricantes de las industrias fotovoltaica y de semiconductores.
Características principales
1. Grafito recubierto de SiC de alta pureza
2. Resistencia al calor superior y uniformidad térmica
3. BienRecubierto de cristal de SiCpara una superficie lisa
4. Alta durabilidad frente a limpieza química.
Especificaciones principales de los recubrimientos CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densidad | (g/cc) | 3.21 |
Resistencia a la flexión | (Mpa) | 470 |
Expansión térmica | (10-6/K) | 4 |
Conductividad térmica | (W/mK) | 300 |
Embalaje y envío
Capacidad de suministro:
10000 pedazos/pedazos por mes
Embalaje y entrega:
Embalaje: embalaje estándar y resistente
Bolsa de polietileno + Caja + Cartón + Paleta
Puerto:
Ningbo/Shenzhen/Shanghái
Plazo de entrega:
Cantidad (piezas) | 1-1000 | >1000 |
Est. Tiempo (días) | 30 | Para ser negociado |