Semicera Semiconductor ofrece lo último en tecnologíacristales de siccultivado usando un altamente eficientemétodo PVT. Al utilizarCVD-SiCBloques regenerativos como fuente de SiC, hemos logrado una notable tasa de crecimiento de 1,46 mm h-1, lo que garantiza una formación de cristales de alta calidad con bajas densidades de microtúbulos y dislocaciones. Este innovador proceso garantiza un alto rendimientocristales de sicAdecuado para aplicaciones exigentes en la industria de semiconductores de potencia.
Parámetro del cristal de SiC (especificación)
- Método de crecimiento: Transporte físico de vapor (PVT)
- Tasa de crecimiento: 1,46 mm h-1
- Calidad del cristal: Alta, con bajas densidades de microtúbulos y dislocaciones.
- Material: SiC (carburo de silicio)
- Aplicación: aplicaciones de alto voltaje, alta potencia y alta frecuencia.
Característica y aplicación del cristal de SiC
Semicera Semiconductor's cristales de sicson ideales paraaplicaciones de semiconductores de alto rendimiento. El material semiconductor de banda ancha es perfecto para aplicaciones de alto voltaje, alta potencia y alta frecuencia. Nuestros cristales están diseñados para cumplir con los más estrictos estándares de calidad, asegurando confiabilidad y eficiencia enaplicaciones de semiconductores de potencia.
Detalles del cristal de SiC
Usando trituradoBloques CVD-SiCcomo material fuente, nuestrocristales de sicPresentan una calidad superior en comparación con los métodos convencionales. El avanzado proceso PVT minimiza defectos como las inclusiones de carbono y mantiene altos niveles de pureza, lo que hace que nuestros cristales sean muy adecuados paraprocesos semiconductoresrequiriendo extrema precisión.
