Bloques y gránulos de SiC CVD de alta pureza para semiconductores

Breve descripción:

Semicera Semiconductor es un fabricante y proveedor líder de cristales de SiC de alta calidad que utilizan métodos PVT avanzados. Nuestro enfoque innovador garantiza tasas de crecimiento rápidas manteniendo al mismo tiempo una calidad de cristal superior. Nuestros cristales de SiC son ideales para aplicaciones de semiconductores de potencia y brindan un rendimiento excelente para uso de alto voltaje, alta potencia y alta frecuencia. Esperamos convertirnos en su socio confiable en el suministro de cristales de SiC.

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Semicera Semiconductor ofrece lo último en tecnologíacristales de siccultivado usando un altamente eficientemétodo PVT. Al utilizarCVD-SiCbloques regenerativos como fuente de SiC, hemos logrado una tasa de crecimiento notable de 1,46 mm h-1, lo que garantiza una formación de cristales de alta calidad con bajas densidades de microtúbulos y dislocaciones. Este innovador proceso garantiza un alto rendimientocristales de sicAdecuado para aplicaciones exigentes en la industria de semiconductores de potencia.

Parámetro del cristal de SiC (especificación)

Método de crecimiento: Transporte físico de vapor (PVT)
Tasa de crecimiento: 1,46 mm h-1
Calidad del cristal: Alta, con bajas densidades de microtúbulos y dislocaciones.
Material: SiC (carburo de silicio)
Aplicación: aplicaciones de alto voltaje, alta potencia y alta frecuencia.

Característica y aplicación del cristal de SiC

Semicera Semiconductor's cristales de sicson ideales paraaplicaciones de semiconductores de alto rendimiento. El material semiconductor de banda ancha es perfecto para aplicaciones de alto voltaje, alta potencia y alta frecuencia. Nuestros cristales están diseñados para cumplir con los más estrictos estándares de calidad, asegurando confiabilidad y eficiencia enaplicaciones de semiconductores de potencia.

Detalles del cristal de SiC

Usando trituradoBloques CVD-SiCcomo material fuente, nuestrocristales de sicPresentan una calidad superior en comparación con los métodos convencionales. El avanzado proceso PVT minimiza defectos como las inclusiones de carbono y mantiene altos niveles de pureza, lo que hace que nuestros cristales sean muy adecuados paraprocesos semiconductoresrequiriendo extrema precisión.