Materia prima de carburo de silicio CVD de alta pureza

Breve descripción:

La materia prima de carburo de silicio CVD de alta pureza de Semicera es un material semiconductor con excelente rendimiento. Se prepara mediante deposición química de vapor (CVD) y tiene excelentes características como alta pureza, alto grado de moldeo y baja densidad de defectos. Es un material básico ideal para la fabricación de dispositivos de carburo de silicio de alto rendimiento.


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La materia prima CVD SiC de alta pureza de Semicera es un material avanzado diseñado para su uso en aplicaciones de alto rendimiento que requieren estabilidad térmica, dureza y propiedades eléctricas excepcionales. Fabricada a partir de carburo de silicio por deposición química de vapor (CVD) de alta calidad, esta materia prima proporciona una pureza y consistencia superiores, lo que la hace ideal para la fabricación de semiconductores, recubrimientos de alta temperatura y otras aplicaciones industriales de precisión.

La materia prima CVD SiC de alta pureza de Semicera es conocida por su excelente resistencia al desgaste, la oxidación y el choque térmico, lo que garantiza un rendimiento confiable incluso en los entornos más exigentes. Ya sea que se utilice en la producción de dispositivos semiconductores, herramientas abrasivas o recubrimientos avanzados, este material proporciona una base sólida para aplicaciones de alto rendimiento que exigen los más altos estándares de pureza y precisión.

Con la materia prima CVD SiC de alta pureza de Semicera, los fabricantes pueden lograr una calidad de producto y una eficiencia operativa superiores. Este material es compatible con una variedad de industrias, desde la electrónica hasta la energía, y ofrece una durabilidad y un rendimiento insuperables.

Las materias primas de carburo de silicio CVD de alta pureza de Semicera tienen las siguientes características:

Alta pureza:Contenido de impurezas extremadamente bajo, lo que garantiza la fiabilidad del dispositivo.

Alta cristalinidad:Estructura cristalina perfecta, que favorece la mejora del rendimiento del dispositivo.

Baja densidad de defectos:Pequeño número de defectos, lo que reduce la corriente de fuga del dispositivo.

Tamaño grande:Se pueden proporcionar sustratos de carburo de silicio de gran tamaño para satisfacer las necesidades de diferentes clientes.

Servicio personalizado:Se pueden personalizar diferentes tipos y especificaciones de materiales de carburo de silicio según las necesidades del cliente.

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Ventajas del producto

▪ Banda prohibida amplia:El carburo de silicio tiene una característica de banda prohibida amplia, lo que le permite tener un rendimiento excelente en entornos hostiles como alta temperatura, alta presión y alta frecuencia.

Alto voltaje de ruptura:Los dispositivos de carburo de silicio tienen un voltaje de ruptura más alto y pueden fabricar dispositivos de mayor potencia.

Alta conductividad térmica:El carburo de silicio tiene una excelente conductividad térmica, lo que favorece la disipación de calor del dispositivo.

Alta movilidad de electrones:Los dispositivos de carburo de silicio tienen una mayor movilidad de electrones, lo que puede aumentar la frecuencia de funcionamiento del dispositivo.

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