Paleta de carburo de silicio de alta pureza

Breve descripción:

La paleta de carburo de silicio de alta pureza Semicera está diseñada para aplicaciones de semiconductores avanzadas y proporciona estabilidad térmica y resistencia mecánica superiores. Esta paleta de SiC garantiza un manejo preciso de las obleas, lo que la convierte en una opción ideal para entornos de alta temperatura. ¡Contáctanos para consultas!


Detalle del producto

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Semicera Alta PurezaPaleta de carburo de silicioestá meticulosamente diseñado para satisfacer las estrictas demandas de los procesos modernos de fabricación de semiconductores. EstePaleta voladiza de SiCsobresale en ambientes de alta temperatura, ofreciendo estabilidad térmica y durabilidad mecánica incomparables. La estructura SiC Cantilever está construida para soportar condiciones extremas, lo que garantiza un manejo confiable de las obleas en diversos procesos.

Una de las innovaciones clave delPaleta de SiCes su diseño liviano pero robusto, que permite una fácil integración en los sistemas existentes. Su alta conductividad térmica ayuda a mantener la estabilidad de las obleas durante fases críticas como el grabado y la deposición, minimizando el riesgo de daño a las obleas y garantizando mayores rendimientos de producción. El uso de carburo de silicio de alta densidad en la construcción de la paleta mejora su resistencia al desgaste, proporcionando una vida operativa prolongada y reduciendo la necesidad de reemplazos frecuentes.

Semicera pone un fuerte énfasis en la innovación, ofreciendo unaPaleta voladiza de SiCque no sólo cumple sino que supera los estándares de la industria. Esta paleta está optimizada para su uso en diversas aplicaciones de semiconductores, desde la deposición hasta el grabado, donde la precisión y la confiabilidad son cruciales. Al integrar esta tecnología de vanguardia, los fabricantes pueden esperar una mayor eficiencia, menores costos de mantenimiento y una calidad constante del producto.

Propiedades físicas del carburo de silicio recristalizado

Propiedad

Valor típico

Temperatura de trabajo (°C)

1600°C (con oxígeno), 1700°C (ambiente reductor)

Contenido de SiC

> 99,96%

Contenido gratuito de Si

<0,1%

densidad aparente

2,60-2,70 g/cm3

Porosidad aparente

< 16%

Fuerza de compresión

> 600MPa

Resistencia a la flexión en frío

80-90 MPa (20°C)

Resistencia a la flexión en caliente

90-100MPa (1400°C)

Expansión térmica @1500°C

4.70 10-6/°C

Conductividad térmica a 1200°C

23 W/m·K

módulo elástico

240 GPa

Resistencia al choque térmico

Extremadamente bueno

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Lugar de trabajo Semicera
Lugar de trabajo semicera 2
maquina de equipo
Procesamiento CNN, limpieza química, recubrimiento CVD
Casa de artículos de semicera
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