Semicera presenta semiconductores de alta calidadpaletas voladizas de carburo de silicio, diseñado para satisfacer las estrictas demandas de la fabricación moderna de semiconductores.
Elpaleta de carburo de silicioPresenta un diseño avanzado que minimiza la expansión térmica y la deformación, lo que lo hace altamente confiable en condiciones extremas. Su construcción robusta ofrece mayor durabilidad, lo que reduce el riesgo de rotura o desgaste, lo cual es fundamental para mantener altos rendimientos y una calidad de producción constante. Elbarco de obleaEl diseño también se integra perfectamente con los equipos de procesamiento de semiconductores estándar, lo que garantiza compatibilidad y facilidad de uso.
Una de las características más destacadas de Semicerapaleta de sices su resistencia química, que le permite funcionar excepcionalmente bien en entornos expuestos a gases y productos químicos corrosivos. El enfoque de Semicera en la personalización permite soluciones a medida.
| Propiedades físicas del carburo de silicio recristalizado | |
| Propiedad | Valor típico |
| Temperatura de trabajo (°C) | 1600°C (con oxígeno), 1700°C (ambiente reductor) |
| Contenido de SiC | > 99,96% |
| Contenido gratuito de Si | <0,1% |
| densidad aparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porosidad aparente | < 16% |
| Fuerza de compresión | > 600MPa |
| Resistencia a la flexión en frío | 80-90 MPa (20°C) |
| Resistencia a la flexión en caliente | 90-100MPa (1400°C) |
| Expansión térmica @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| Conductividad térmica a 1200°C | 23 W/m·K |
| módulo elástico | 240 GPa |
| Resistencia al choque térmico | Extremadamente bueno |
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