Portador de grafito recubierto de SiC de larga vida útil para oblea solar

Breve descripción:

El carburo de silicio es un nuevo tipo de cerámica con un alto costo y excelentes propiedades de material. Debido a características como alta resistencia y dureza, resistencia a altas temperaturas, gran conductividad térmica y resistencia a la corrosión química, el carburo de silicio puede resistir casi todos los medios químicos. Por lo tanto, el SiC se utiliza ampliamente en la minería petrolera, la industria química, la maquinaria y el espacio aéreo, incluso la energía nuclear y el ejército tienen demandas especiales sobre el SIC. Algunas aplicaciones normales que podemos ofrecer son anillos de sellado para bombas, válvulas y armaduras protectoras, etc.

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Detalle del producto

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Ventajas

Resistencia a la oxidación a alta temperatura
Excelente resistencia a la corrosión
Buena resistencia a la abrasión
Alto coeficiente de conductividad térmica.
Autolubricidad, baja densidad
Alta dureza
Diseño personalizado.

Aplicaciones

-Campo resistente al desgaste: casquillo, placa, boquilla de chorro de arena, revestimiento ciclónico, cilindro de molienda, etc.
-Campo de alta temperatura: losa de siC, tubo de horno de enfriamiento, tubo radiante, crisol, elemento calefactor, rodillo, viga, intercambiador de calor, tubería de aire frío, boquilla de quemador, tubo de protección de termopar, bote de SiC, estructura de carro de horno, preparador, etc.
-Semiconductor de carburo de silicio: oblea SiC, mandril sic, paleta sic, casete sic, tubo de difusión sic, horquilla para oblea, placa de succión, guía, etc.
-Campo de sellos de carburo de silicio: todo tipo de anillos de sellado, cojinetes, bujes, etc.
-Campo fotovoltaico: paleta voladiza, barril de molienda, rodillo de carburo de silicio, etc.
-Campo de batería de litio

Oblea (1)

Oblea (2)

Propiedades físicas del SiC

Propiedad	Valor	Método
Densidad	3,21 g/cc	Fregadero-flotador y dimensión
Calor específico	0,66 J/g°K	Flash láser pulsado
Resistencia a la flexión	450MPa560MPa	Curva de 4 puntos, curvatura de punto RT4, 1300°
Dureza a la fractura	2,94 MPa·m1/2	Microindentación
Dureza	2800	Vicker's, carga de 500 g.
Módulo elástico Módulo de Young	450 GPa430 GPa	Curva de 4 puntos, curvatura RT4 pt, 1300 °C
Tamaño de grano	2 – 10 micras	SEM

Propiedades térmicas del SiC

Conductividad térmica	250 W/m°K	Método de flash láser, RT
Expansión Térmica (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Temperatura ambiente a 950 °C, dilatómetro de sílice

Parámetros técnicos

Artículo	Unidad	Datos
Artículo	Unidad	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
Contenido de SiC	%	85	75	99	99,9	≥99
Contenido de silicio libre	%	15	0	0	0	0
Temperatura máxima de servicio	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Densidad	gramos/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Porosidad abierta	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Resistencia a la flexión 20 ℃	Мpa	250	160	380	100	/
Resistencia a la flexión 1200 ℃	Мpa	280	180	400	120	/
Módulo de elasticidad 20 ℃	gpa	330	580	420	240	/
Módulo de elasticidad 1200 ℃	gpa	300	/	/	200	/
Conductividad térmica 1200 ℃	W/mK	45	19.6	100-120	36,6	/
Coeficiente de expansión térmica.	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	kg/m2^m2	2115	/	2800	/	/

El recubrimiento de carburo de silicio CVD en la superficie exterior de los productos cerámicos de carburo de silicio recristalizado puede alcanzar una pureza de más del 99,9999% para satisfacer las necesidades de los clientes de la industria de semiconductores.