La oblea de sustrato de SiC tipo P de Semicera es un componente clave para el desarrollo de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos avanzados. Estas obleas están diseñadas específicamente para proporcionar un rendimiento mejorado en entornos de alta potencia y alta temperatura, lo que respalda la creciente demanda de componentes eficientes y duraderos.
El dopaje tipo P en nuestras obleas de SiC garantiza una mejor conductividad eléctrica y movilidad de los portadores de carga. Esto los hace particularmente adecuados para aplicaciones en electrónica de potencia, LED y células fotovoltaicas, donde son fundamentales una baja pérdida de energía y una alta eficiencia.
Fabricadas con los más altos estándares de precisión y calidad, las obleas de SiC tipo P de Semicera ofrecen una excelente uniformidad de superficie y tasas mínimas de defectos. Estas características son vitales para industrias donde la consistencia y la confiabilidad son esenciales, como los sectores aeroespacial, automotriz y de energías renovables.
El compromiso de Semicera con la innovación y la excelencia es evidente en nuestra oblea de sustrato de SiC tipo P. Al integrar estas obleas en su proceso de producción, se asegura de que sus dispositivos se beneficien de las excepcionales propiedades térmicas y eléctricas del SiC, lo que les permite funcionar de forma eficaz en condiciones difíciles.
Invertir en la oblea de sustrato de SiC tipo P de Semicera significa elegir un producto que combine ciencia de materiales de vanguardia con una ingeniería meticulosa. Semicera se dedica a respaldar la próxima generación de tecnologías electrónicas y optoelectrónicas, proporcionando los componentes esenciales necesarios para su éxito en la industria de los semiconductores.
| Elementos | Producción | Investigación | Ficticio |
| Parámetros de cristal | |||
| politipo | 4H | ||
| Error de orientación de la superficie | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parámetros eléctricos | |||
| dopante | Nitrógeno tipo n | ||
| Resistividad | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| Parámetros mecánicos | |||
| Diámetro | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Espesor | 350±25 micras | ||
| Orientación plana primaria | [1-100]±5° | ||
| Longitud plana primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| piso secundario | Ninguno | ||
| televisión | ≤5 micras | ≤10 micras | ≤15 micras |
| TVL | ≤3 micras(5mm*5mm) | ≤5 micras(5mm*5mm) | ≤10 micras(5mm*5mm) |
| Arco | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Urdimbre | ≤35 micras | ≤45 micras | ≤55 micras |
| Rugosidad frontal (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Estructura | |||
| Densidad de microtubos | <1 unidad/cm2 | <10 c/cm2 | <15 c/cm2 |
| Impurezas metálicas | ≤5E10átomos/cm2 | NA | |
| TLP | ≤1500 unidades/cm2 | ≤3000 unidades/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 unidades/cm2 | ≤1000 unidades/cm2 | NA |
| Calidad frontal | |||
| Frente | Si | ||
| Acabado superficial | CMP de cara Si | ||
| Partículas | ≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm) | NA | |
| Arañazos | ≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro | Longitud acumulada≤2*Diámetro | NA |
| Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación | Ninguno | NA | |
| Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales | Ninguno | ||
| Áreas politipo | Ninguno | Área acumulada≤20% | Área acumulada≤30% |
| Marcado láser frontal | Ninguno | ||
| Calidad trasera | |||
| Acabado trasero | CMP cara C | ||
| Arañazos | ≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro | NA | |
| Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes) | Ninguno | ||
| Rugosidad de la espalda | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcado láser trasero | 1 mm (desde el borde superior) | ||
| Borde | |||
| Borde | Chaflán | ||
| Embalaje | |||
| Embalaje | Epi-ready con envasado al vacío Envasado de casetes de obleas múltiples | ||
| *Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD. | |||
