Carburo de silicio (SiC) a granel CVD
Descripción general:ECVcarburo de silicio a granel (SiC)es un material muy buscado en equipos de grabado por plasma, aplicaciones de procesamiento térmico rápido (RTP) y otros procesos de fabricación de semiconductores. Sus excepcionales propiedades mecánicas, químicas y térmicas lo convierten en un material ideal para aplicaciones de tecnología avanzada que exigen alta precisión y durabilidad.
Aplicaciones de CVD Bulk SiC:El SiC a granel es crucial en la industria de los semiconductores, particularmente en los sistemas de grabado por plasma, donde componentes como anillos de enfoque, cabezales de ducha de gas, anillos de borde y placas se benefician de la excepcional resistencia a la corrosión y conductividad térmica del SiC. Su uso se extiende aRTPsistemas debido a la capacidad del SiC para soportar rápidas fluctuaciones de temperatura sin una degradación significativa.
Además de los equipos de grabado, CVDSiC a granelSe prefiere en hornos de difusión y procesos de crecimiento de cristales, donde se requiere una alta estabilidad térmica y resistencia a entornos químicos hostiles. Estos atributos hacen del SiC el material elegido para aplicaciones de alta demanda que involucran altas temperaturas y gases corrosivos, como los que contienen cloro y flúor.
Ventajas de los componentes CVD Bulk SiC:
•Densidad alta:Con una densidad de 3,2 g/cm³,SiC a granel CVDLos componentes son altamente resistentes al desgaste y al impacto mecánico.
•Conductividad térmica superior:Al ofrecer una conductividad térmica de 300 W/m·K, el SiC a granel gestiona eficientemente el calor, lo que lo hace ideal para componentes expuestos a ciclos térmicos extremos.
•Resistencia química excepcional:La baja reactividad del SiC con los gases de grabado, incluidos los productos químicos a base de cloro y flúor, garantiza una vida útil prolongada de los componentes.
•Resistividad ajustable: SiC a granel CVDLa resistividad se puede personalizar dentro del rango de 10⁻²–10⁴ Ω-cm, lo que la hace adaptable a necesidades específicas de grabado y fabricación de semiconductores.
•Coeficiente de expansión térmica:Con un coeficiente de expansión térmica de 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), el SiC a granel CVD resiste el choque térmico y mantiene la estabilidad dimensional incluso durante ciclos rápidos de calentamiento y enfriamiento.
•Durabilidad en Plasma:La exposición al plasma y a los gases reactivos es inevitable en los procesos de semiconductores, peroSiC a granel CVDOfrece una resistencia superior a la corrosión y la degradación, lo que reduce la frecuencia de reemplazo y los costos generales de mantenimiento.
Especificaciones técnicas:
•Diámetro:Mayor a 305 mm
•Resistividad:Ajustable entre 10⁻² y 10⁴ Ω-cm
•Densidad:3,2 g/cm³
•Conductividad térmica:300 W/m·K
•Coeficiente de expansión térmica:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Personalización y flexibilidad:EnSemicera Semiconductor, entendemos que cada aplicación de semiconductores puede requerir especificaciones diferentes. Es por eso que nuestros componentes CVD de SiC a granel son totalmente personalizables, con resistividad ajustable y dimensiones personalizadas para satisfacer las necesidades de su equipo. Ya sea que esté optimizando sus sistemas de grabado por plasma o buscando componentes duraderos en procesos RTP o de difusión, nuestro SiC CVD a granel ofrece un rendimiento incomparable.
