Sustrato de Si

Breve descripción:

Con su precisión superior y alta pureza, el sustrato de Si de Semicera garantiza un rendimiento confiable y consistente en aplicaciones críticas, incluida la fabricación de Epi-Wafer y óxido de galio (Ga2O3). Diseñado para respaldar la producción de microelectrónica avanzada, este sustrato ofrece compatibilidad y estabilidad excepcionales, lo que lo convierte en un material esencial para tecnologías de vanguardia en los sectores de telecomunicaciones, automoción e industrial.


Detalle del producto

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El sustrato Si de Semicera es un componente esencial en la producción de dispositivos semiconductores de alto rendimiento. Diseñado a partir de silicio (Si) de alta pureza, este sustrato ofrece uniformidad, estabilidad y excelente conductividad excepcionales, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones avanzadas en la industria de los semiconductores. Ya sea que se utilice en la producción de oblea de Si, sustrato de SiC, oblea SOI o sustrato de SiN, el sustrato Semicera Si ofrece una calidad constante y un rendimiento superior para satisfacer las crecientes demandas de la electrónica y la ciencia de materiales modernas.

Rendimiento inigualable con alta pureza y precisión

El sustrato Si de Semicera se fabrica mediante procesos avanzados que garantizan una alta pureza y un estricto control dimensional. El sustrato sirve como base para la producción de una variedad de materiales de alto rendimiento, incluidos Epi-Wafers y AlN Wafers. La precisión y uniformidad del sustrato de Si lo convierten en una excelente opción para crear capas epitaxiales de película delgada y otros componentes críticos utilizados en la producción de semiconductores de próxima generación. Ya sea que esté trabajando con óxido de galio (Ga2O3) u otros materiales avanzados, el sustrato Si de Semicera garantiza los más altos niveles de confiabilidad y rendimiento.

Aplicaciones en la fabricación de semiconductores

En la industria de los semiconductores, el sustrato de Si de Semicera se utiliza en una amplia gama de aplicaciones, incluida la producción de oblea de Si y sustrato de SiC, donde proporciona una base estable y confiable para la deposición de capas activas. El sustrato desempeña un papel fundamental en la fabricación de obleas SOI (Silicon On Insulator), que son esenciales para la microelectrónica avanzada y los circuitos integrados. Además, las Epi-Wafers (obleas epitaxiales) construidas sobre sustratos de Si son fundamentales para producir dispositivos semiconductores de alto rendimiento, como transistores de potencia, diodos y circuitos integrados.

El sustrato de Si también respalda la fabricación de dispositivos que utilizan óxido de galio (Ga2O3), un prometedor material de banda prohibida amplia utilizado para aplicaciones de alta potencia en electrónica de potencia. Además, la compatibilidad del sustrato de Si de Semicera con obleas de AlN y otros sustratos avanzados garantiza que pueda cumplir con los diversos requisitos de las industrias de alta tecnología, lo que lo convierte en una solución ideal para la producción de dispositivos de vanguardia en los sectores de telecomunicaciones, automoción e industrial. .

Calidad confiable y consistente para aplicaciones de alta tecnología

El sustrato de Si de Semicera está cuidadosamente diseñado para cumplir con las rigurosas demandas de la fabricación de semiconductores. Su excepcional integridad estructural y sus propiedades superficiales de alta calidad lo convierten en el material ideal para su uso en sistemas de casetes para el transporte de obleas, así como para la creación de capas de alta precisión en dispositivos semiconductores. La capacidad del sustrato para mantener una calidad constante en diferentes condiciones del proceso garantiza defectos mínimos, mejorando el rendimiento y el rendimiento del producto final.

Con su conductividad térmica superior, resistencia mecánica y alta pureza, el sustrato de Si de Semicera es el material elegido por los fabricantes que buscan alcanzar los más altos estándares de precisión, confiabilidad y rendimiento en la producción de semiconductores.

Elija el sustrato de Si de Semicera para soluciones de alta pureza y alto rendimiento

Para los fabricantes de la industria de semiconductores, el sustrato de Si de Semicera ofrece una solución robusta y de alta calidad para una amplia gama de aplicaciones, desde la producción de obleas de Si hasta la creación de obleas Epi y obleas SOI. Con una pureza, precisión y confiabilidad inigualables, este sustrato permite la producción de dispositivos semiconductores de vanguardia, lo que garantiza un rendimiento a largo plazo y una eficiencia óptima. Elija Semicera para sus necesidades de sustrato de Si y confíe en un producto diseñado para satisfacer las demandas de las tecnologías del mañana.

Elementos

Producción

Investigación

Ficticio

Parámetros de cristal

politipo

4H

Error de orientación de la superficie

<11-20 >4±0,15°

Parámetros eléctricos

dopante

Nitrógeno tipo n

Resistividad

0.015-0.025ohm·cm

Parámetros mecánicos

Diámetro

150,0 ± 0,2 mm

Espesor

350±25 micras

Orientación plana primaria

[1-100]±5°

Longitud plana primaria

47,5 ± 1,5 mm

piso secundario

Ninguno

televisión

≤5 micras

≤10 micras

≤15 micras

TVL

≤3 micras(5mm*5mm)

≤5 micras(5mm*5mm)

≤10 micras(5mm*5mm)

Arco

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Urdimbre

≤35 micras

≤45 micras

≤55 micras

Rugosidad frontal (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Estructura

Densidad de microtubos

<1 unidad/cm2

<10 c/cm2

<15 c/cm2

Impurezas metálicas

≤5E10átomos/cm2

NA

TLP

≤1500 unidades/cm2

≤3000 unidades/cm2

NA

TSD

≤500 unidades/cm2

≤1000 unidades/cm2

NA

Calidad frontal

Frente

Si

Acabado superficial

CMP de cara Si

Partículas

≤60ea/oblea (tamaño≥0,3μm)

NA

Arañazos

≤5ea/mm. Longitud acumulada ≤Diámetro

Longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Piel de naranja/huevos/manchas/estrías/grietas/contaminación

Ninguno

NA

Descantillados/hendiduras/fracturas/placas hexagonales

Ninguno

Áreas politipo

Ninguno

Área acumulada≤20%

Área acumulada≤30%

Marcado láser frontal

Ninguno

Calidad trasera

Acabado trasero

CMP cara C

Arañazos

≤5ea/mm, longitud acumulada≤2*Diámetro

NA

Defectos posteriores (descantillados/hendiduras en los bordes)

Ninguno

Rugosidad de la espalda

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcado láser trasero

1 mm (desde el borde superior)

Borde

Borde

Chaflán

Embalaje

Embalaje

Epi-ready con envasado al vacío

Envasado de casetes de obleas múltiples

*Notas: "NA" significa sin solicitud. Los artículos no mencionados pueden referirse a SEMI-STD.

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Obleas de SiC

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