El desarrollo propio de Semicera.Pieza de sello cerámico de SiCestá diseñado para cumplir con los altos estándares de la fabricación moderna de semiconductores. Esta pieza de sellado utiliza alto rendimiento.carburo de silicio (SiC)Material con excelente resistencia al desgaste y estabilidad química para garantizar un excelente rendimiento de sellado en ambientes extremos. Combinado conóxido de aluminio (Al2O3)ynitruro de silicio (Si3N4), esta pieza funciona bien en aplicaciones de alta temperatura y puede prevenir eficazmente fugas de gas y líquido.
Cuando se utiliza junto con equipos comobarcos de obleay portadores de obleas, SemiceraPieza de sello cerámico de SiCpuede mejorar significativamente la eficiencia y confiabilidad del sistema en general. Su resistencia superior a la temperatura y a la corrosión lo convierten en un componente indispensable en la fabricación de semiconductores de alta precisión, garantizando estabilidad y seguridad durante el proceso de producción.
Además, el diseño de esta pieza de sellado se ha optimizado cuidadosamente para garantizar la compatibilidad con una variedad de equipos, lo que facilita su uso en diferentes líneas de producción. El equipo de I+D de Semicera continúa trabajando intensamente en impulsar la innovación tecnológica para asegurar la competitividad de sus productos en la industria.
Eligiendo SemiceraPieza de sello cerámico de SiC, obtendrá una combinación de alto rendimiento y confiabilidad, lo que lo ayudará a lograr procesos de producción más eficientes y una excelente calidad del producto. Semicera siempre se compromete a brindar a los clientes las mejores soluciones y servicios de semiconductores para promover el desarrollo y progreso continuo de la industria.
✓Máxima calidad en el mercado chino
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✓Pequeño MOQ bienvenido y aceptado
✓Servicios personalizados
Susceptor de crecimiento de epitaxia
Las obleas de silicio/carburo de silicio deben pasar por múltiples procesos para poder usarse en dispositivos electrónicos. Un proceso importante es la epitaxia de silicio/sic, en la que las obleas de silicio/sic se transportan sobre una base de grafito. Las ventajas especiales de la base de grafito recubierta de carburo de silicio de Semicera incluyen una pureza extremadamente alta, un recubrimiento uniforme y una vida útil extremadamente larga. También tienen alta resistencia química y estabilidad térmica.
Producción de chips LED
Durante el recubrimiento extenso del reactor MOCVD, la base o portador planetario mueve la oblea del sustrato. El rendimiento del material base tiene una gran influencia en la calidad del recubrimiento, lo que a su vez afecta la tasa de desperdicio de la viruta. La base recubierta de carburo de silicio de Semicera aumenta la eficiencia de fabricación de obleas LED de alta calidad y minimiza la desviación de la longitud de onda. También suministramos componentes de grafito adicionales para todos los reactores MOCVD actualmente en uso. Podemos recubrir casi cualquier componente con una capa de carburo de silicio, incluso si el diámetro del componente es de hasta 1,5 M, aún podemos recubrirlo con carburo de silicio.
Campo semiconductor, proceso de difusión de oxidación, Etc.
En el proceso de semiconductores, el proceso de expansión por oxidación requiere una alta pureza del producto, y en Semicera ofrecemos servicios de recubrimiento CVD y personalizados para la mayoría de las piezas de carburo de silicio.
La siguiente imagen muestra la suspensión de carburo de silicio procesada en bruto de Semicea y el tubo del horno de carburo de silicio que se limpia en el 1000-nivellibre de polvohabitación. Nuestros trabajadores están trabajando antes del recubrimiento. La pureza de nuestro carburo de silicio puede alcanzar el 99,99% y la pureza del recubrimiento sic es superior al 99,99995%..
Paleta de carburo de silicio en bruto y tubo de proceso de SiC en limpieza
Barco de oblea de carburo de silicio con revestimiento CVD SiC
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