Susceptores de base de grafito recubiertos de SiC para MOCVD

Susceptores de base de grafito recubiertos de SiCpara MOCVD de semicera están diseñados para proporcionar un rendimiento excepcional en los procesos de crecimiento epitaxial. El recubrimiento de carburo de silicio de alta calidad sobre la base de grafito garantiza estabilidad, durabilidad y conductividad térmica óptima durante las operaciones MOCVD (deposición química de vapor de metales orgánicos). Al utilizar la innovadora tecnología de susceptores de semicera, puede lograr mayor precisión y eficiencia enSi epitaxiayEpitaxia de SiCaplicaciones.

EstosSusceptores de MOCVDestán diseñados para admitir una gama de componentes semiconductores esenciales, comoPortador de grabado PSS, Portador de grabado ICP, yOperador RTP, haciéndolos versátiles para diversas tareas de grabado y epitaxial. El compromiso de Semicera con los altos estándares garantiza que estos susceptores cumplan con las rigurosas demandas de la producción moderna de semiconductores.

Ideal para usar enLED epitaxialEn los procesos de susceptor, susceptor de barril y silicio monocristalino, estos susceptores se pueden personalizar para diferentes tamaños de oblea, incluidas las configuraciones de susceptor tipo panqueque. También son muy eficaces en el manejo de piezas fotovoltaicas, lo que las convierte en un componente crucial en el desarrollo de células solares eficientes.

Además, los susceptores de base de grafito recubiertos de SiC para MOCVD están optimizados para GaN en epitaxia de SiC, lo que ofrece una alta compatibilidad con materiales semiconductores avanzados. Ya sea que esté enfocado en mejorar los rendimientos o mejorar la calidad del crecimiento epitaxial, los susceptores de semicera brindan la confiabilidad y el rendimiento necesarios para el éxito en industrias de alta tecnología.