Proceso de recubrimiento de SiC para base de grafito Portadores de grafito recubierto de SiC

Mantenemos tolerancias muy estrechas al aplicar elRecubrimiento de SiC, utilizando mecanizado de alta precisión para garantizar un perfil de susceptor uniforme. También producimos materiales con propiedades de resistencia eléctrica ideales para su uso en sistemas de calentamiento inductivo. Todos los componentes terminados vienen con un certificado de pureza y cumplimiento dimensional.

Nuestra empresa proporcionaRecubrimiento de SiCServicios de proceso por método CVD en la superficie de grafito, cerámica y otros materiales, de modo que gases especiales que contienen carbono y silicio reaccionan a alta temperatura para obtener moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas en la superficie de los materiales recubiertos, formando una capa protectora de SIC. El SIC formado está firmemente adherido a la base de grafito, dándole a la base de grafito propiedades especiales, haciendo así que la superficie del grafito sea compacta, libre de porosidad, resistente a altas temperaturas, a la corrosión y a la oxidación.

El proceso CVD ofrece una pureza y una densidad teórica extremadamente altas deRecubrimiento de SiCsin porosidad. Es más, como el carburo de silicio es muy duro, se puede pulir hasta obtener una superficie similar a un espejo.Recubrimiento CVD de carburo de silicio (SiC)entregó varias ventajas, incluida una superficie de pureza ultraalta y una durabilidad extremadamente alta. Como los productos recubiertos tienen un gran rendimiento en circunstancias de alto vacío y alta temperatura, son ideales para aplicaciones en la industria de semiconductores y otros entornos ultralimpios. También ofrecemos productos de grafito pirolítico (PG).